메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT40A256M16GE-062E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음6,408
MT40A256M16GE-062E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음2,304
MT40A256M16GE-062E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음8,928
MT40A256M16GE-075E AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음4,806
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음6,354
MT40A256M16GE-075E AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음6,768
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음5,130
MT40A256M16GE-075E AUT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음2,754
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음7,344
MT40A256M16GE-075E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음5,922
MT40A256M16GE-075E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 4G PAR 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.333GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음3,186
MT40A256M16GE-075E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음3,526
MT40A256M16GE-075E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음6,696
MT40A256M16GE-083E AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음5,850
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음7,218
MT40A256M16GE-083E AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음2,394
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음7,434
MT40A256M16GE-083E AUT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음20,424
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음8,838
MT40A256M16GE-083E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음37,476
MT40A256M16GE-083E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 4G PAR 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음2,502
MT40A256M16GE-083E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음3,366
MT40A256M16GE-083E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음7,560
MT40A256M16LY-062E AAT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음6,786
MT40A256M16LY-062E AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음7,236
MT40A256M16LY-062E AIT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음7,902
MT40A256M16LY-062E AIT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음3,762
MT40A256M16LY-062E AUT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음16,656
MT40A256M16LY-062E:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음6,120
MT40A256M16LY-062E IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음5,004

MT40A256M16GE-062E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음6,408

MT40A256M16GE-062E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음2,304

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음8,928

MT40A256M16GE-075E AAT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음4,806

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음6,354

MT40A256M16GE-075E AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음6,768

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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
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작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음5,130

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IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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IC SDRAM DDR4 4G PAR 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음3,526

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
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재고 있음6,696

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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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재고 있음5,850

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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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재고 있음7,218

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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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시계 주파수: 1.2GHz
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접근 시간: -
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재고 있음2,394

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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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재고 있음7,434

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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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재고 있음20,424

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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
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재고 있음8,838

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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시계 주파수: 1.2GHz
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음37,476

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IC SDRAM DDR4 4G PAR 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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메모리 인터페이스: Parallel
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전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음2,502

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
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접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음3,366

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음7,560

MT40A256M16LY-062E AAT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
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전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음7,236

MT40A256M16LY-062E AIT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음3,762

MT40A256M16LY-062E AUT:F

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기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
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접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
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재고 있음16,656

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음6,120

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제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
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