메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR Micron Technology Inc.	기억 MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,514
MT38W201DAA033JZZI.X68 Micron Technology Inc.	기억 MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,412
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR Micron Technology Inc.	기억 MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
MT40A1G16HBA-083E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9.5x14)	재고 있음3,600
MT40A1G16HBA-083E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9.5x14)	재고 있음4,464
MT40A1G16KNR-062E:E Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 MULTICHIP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음3,090
MT40A1G16KNR-062E:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 MULTICHIP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음2,898
MT40A1G16KNR-075:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 16GB 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.333GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음4,266
MT40A1G16RC-062E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DDR4 SDRAM 16GB 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)	재고 있음6,066
MT40A1G16RC-062E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DDR4 SDRAM 16GB 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)	재고 있음8,172
MT40A1G16RC-062E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 16GB FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)	재고 있음571
MT40A1G16RC-062E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 16GB FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)	재고 있음3,618
MT40A1G16WBU-075E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)	재고 있음7,272
MT40A1G16WBU-075E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)	재고 있음4,338
MT40A1G16WBU-083E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)	재고 있음46,784
MT40A1G16WBU-083E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)	재고 있음2,484
MT40A1G4HX-083E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음5,238
MT40A1G4HX-093E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음5,256
MT40A1G4RH-075E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음8,046
MT40A1G4RH-075E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음6,696
MT40A1G4RH-083E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음8,172
MT40A1G4RH-083E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 4G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음8,748
MT40A1G8PM-083E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x13.2)	재고 있음1,149
MT40A1G8PM-083E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x13.2)	재고 있음6,534
MT40A1G8SA-062E AAT:E Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음8,712
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음6,408
MT40A1G8SA-062E AIT:E Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음8,586
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음7,542
MT40A1G8SA-062E AUT:E Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음5,814
MT40A1G8SA-062E AUT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음7,452

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Micron Technology Inc.

기억

MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,514

MT38W201DAA033JZZI.X68

Micron Technology Inc.

기억

MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,412

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Micron Technology Inc.

기억

MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,516

MT40A1G16HBA-083E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9.5x14)

재고 있음3,600

MT40A1G16HBA-083E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9.5x14)

재고 있음4,464

MT40A1G16KNR-062E:E

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 MULTICHIP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음3,090

MT40A1G16KNR-062E:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 MULTICHIP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음2,898

MT40A1G16KNR-075:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 16GB

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.333GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음4,266

MT40A1G16RC-062E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DDR4 SDRAM 16GB 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)

재고 있음6,066

MT40A1G16RC-062E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DDR4 SDRAM 16GB 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)

재고 있음8,172

MT40A1G16RC-062E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 16GB FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)

재고 있음571

MT40A1G16RC-062E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 16GB FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x13)

재고 있음3,618

MT40A1G16WBU-075E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)

재고 있음7,272

MT40A1G16WBU-075E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)

재고 있음4,338

MT40A1G16WBU-083E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)

재고 있음46,784

MT40A1G16WBU-083E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)

재고 있음2,484

MT40A1G4HX-083E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음5,238

MT40A1G4HX-093E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음5,256

MT40A1G4RH-075E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음8,046

MT40A1G4RH-075E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음6,696

MT40A1G4RH-083E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음8,172

MT40A1G4RH-083E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 4G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음8,748

MT40A1G8PM-083E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x13.2)

재고 있음1,149

MT40A1G8PM-083E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x13.2)

재고 있음6,534

MT40A1G8SA-062E AAT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음8,712

MT40A1G8SA-062E AAT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음6,408

MT40A1G8SA-062E AIT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음8,586

MT40A1G8SA-062E AIT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음7,542

MT40A1G8SA-062E AUT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음5,814

MT40A1G8SA-062E AUT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음7,452

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