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MT46V32M8BG-75:G
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음4,374
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음5,796
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,290
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
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  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
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재고 있음3,526
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 접근 시간: 700ps
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음4,950
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음4,392
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음4,302
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
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재고 있음5,292
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음5,796
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음5,094
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음3,400
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음7,290
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음4,752
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x14)
재고 있음2,952
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음8,910
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,400
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음8,586
MT46V32M8P-5B IT:M
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,814
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,040
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,418
MT46V32M8P-5B:M
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음16,883
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,292
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,104
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,176
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,398
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,994
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,686
MT46V32M8TG-5B:G TR
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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,488
MT46V32M8TG-6T:G TR
MT46V32M8TG-6T:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,202
MT46V32M8TG-6T IT:G TR
MT46V32M8TG-6T IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,020