메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT46V64M8CV-5B:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음6,624
MT46V64M8CY-5B AIT:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음3,276
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음6,264
MT46V64M8CY-5B IT:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음4,068
MT46V64M8CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음3,006
MT46V64M8CY-5B:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음4,014
MT46V64M8CY-5B:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음4,518
MT46V64M8CY-5B L:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음6,678
MT46V64M8CY-5B L:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)	재고 있음7,884
MT46V64M8FN-5B:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,946
MT46V64M8FN-6:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,154
MT46V64M8FN-6:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음4,716
MT46V64M8FN-6 IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,586
MT46V64M8FN-6 IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음5,292
MT46V64M8FN-75:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 750ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음2,844
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MT46V64M8FN-75 IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 750ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음5,418
MT46V64M8FN-75 IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 750ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,208
MT46V64M8FN-75 L:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 750ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음4,158
MT46V64M8FN-75 L:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 750ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,694
MT46V64M8P-5B AIT:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음2,826
MT46V64M8P-5B AIT:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음3,654
MT46V64M8P-5B:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음5,634
MT46V64M8P-5B:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음2,718
MT46V64M8P-5B:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음5,567
MT46V64M8P-5B:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음2,430
MT46V64M8P-5B IT:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음4,482
MT46V64M8P-5B IT:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음6,426
MT46V64M8P-5B:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음7,961
MT46V64M8P-5B:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP	재고 있음5,994

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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)

재고 있음6,624

MT46V64M8CY-5B AIT:J

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)

재고 있음3,276

MT46V64M8CY-5B AIT:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)

재고 있음6,264

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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)

재고 있음4,068

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)

재고 있음3,006

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
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재고 있음4,014

MT46V64M8CY-5B:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
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재고 있음4,518

MT46V64M8CY-5B L:J

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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MT46V64M8CY-5B L:J TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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재고 있음7,884

MT46V64M8FN-5B:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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재고 있음8,946

MT46V64M8FN-6:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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재고 있음8,154

MT46V64M8FN-6:F TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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재고 있음4,716

MT46V64M8FN-6 IT:F

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
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재고 있음8,586

MT46V64M8FN-6 IT:F TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
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시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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재고 있음5,292

MT46V64M8FN-75:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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재고 있음2,844

MT46V64M8FN-75:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
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시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 750ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
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재고 있음8,730

MT46V64M8FN-75 IT:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
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시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 750ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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패키지 / 케이스: 60-TFBGA
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재고 있음5,418

MT46V64M8FN-75 IT:D TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 750ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)

재고 있음8,208

MT46V64M8FN-75 L:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 750ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)

재고 있음4,158

MT46V64M8FN-75 L:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 750ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)

재고 있음8,694

MT46V64M8P-5B AIT:J

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
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전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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재고 있음2,826

MT46V64M8P-5B AIT:J TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP

재고 있음3,654

MT46V64M8P-5B:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP

재고 있음5,634

MT46V64M8P-5B:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP

재고 있음2,718

MT46V64M8P-5B:F

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP

재고 있음5,567

MT46V64M8P-5B:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP

재고 있음2,430

MT46V64M8P-5B IT:J

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
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공급자 장치 패키지: 66-TSOP

재고 있음4,482

MT46V64M8P-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
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재고 있음6,426

MT46V64M8P-5B:J

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP

재고 있음7,961

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP

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