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MT46V64M8CV-5B:J TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음6,624
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음3,276
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음6,264
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,068
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
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  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음3,006
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
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  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,014
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
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  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,518
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
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재고 있음6,678
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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재고 있음7,884
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
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  • 접근 시간: 700ps
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  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음8,946
MT46V64M8FN-6:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
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재고 있음8,154
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음4,716
MT46V64M8FN-6 IT:F
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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재고 있음8,586
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음5,292
MT46V64M8FN-75:D
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음2,844
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음8,730
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음5,418
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음8,208
MT46V64M8FN-75 L:D
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음4,158
MT46V64M8FN-75 L:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음8,694
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음2,826
MT46V64M8P-5B AIT:J TR
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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음3,654
MT46V64M8P-5B:D
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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,634
MT46V64M8P-5B:D TR
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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음2,718
MT46V64M8P-5B:F
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,567
MT46V64M8P-5B:F TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음2,430
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,482
MT46V64M8P-5B IT:J TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음6,426
MT46V64M8P-5B:J
MT46V64M8P-5B:J

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,961
MT46V64M8P-5B:J TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,994