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MT46V64M8P-5B L IT:F
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음3,708
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,608
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음6,390
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,614
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,794
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,356
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
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  • 장착 유형: Surface Mount
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  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,902
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음3,708
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음3,580
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음8,838
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음2,916
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,968
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음8,118
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
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  • 접근 시간: 750ps
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  • 장착 유형: Surface Mount
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  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,842
MT46V64M8P-75 L:D
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음6,282
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,254
MT46V64M8P-75Z:D
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,806
MT46V64M8P-75Z:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,986
MT46V64M8T67A3WC1
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DDR 512M DIE 64MX8

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,754
MT46V64M8TG-5B:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,742
MT46V64M8TG-5B IT:J
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,716
MT46V64M8TG-5B IT:J TR
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음8,658
MT46V64M8TG-5B:J
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,968
MT46V64M8TG-5B:J TR
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,068
MT46V64M8TG-6T:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음2,430
MT46V64M8TG-6T:F TR
MT46V64M8TG-6T:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,940
MT46V64M8TG-6T IT:D TR
MT46V64M8TG-6T IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음2,880
MT46V64M8TG-6T IT:F TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,812
MT46V64M8TG-6T L:F
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,506