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메모리 IC

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설명
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MT46V64M4P-5B:K
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음7,290
MT46V64M4P-5B:M
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,310
MT46V64M4P-6T:GTR
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음8,676
MT46V64M4P-6T:K
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음5,472
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음6,174
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음2,250
MT46V64M4TG-75:G
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음4,842
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP
재고 있음3,418
MT46V64M8BN-5B:D
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음3,456
MT46V64M8BN-5B:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음8,478
MT46V64M8BN-5B:F
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음3,150
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음8,046
MT46V64M8BN-6:D
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음7,938
MT46V64M8BN-6:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음3,798
MT46V64M8BN-6:F
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음3,402
MT46V64M8BN-6:F TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음4,194
MT46V64M8BN-6 IT:F
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음4,248
MT46V64M8BN-6 IT:F TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음3,418
MT46V64M8BN-6 L:F
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음4,446
MT46V64M8BN-6 L:F TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음7,740
MT46V64M8BN-75:D
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음2,520
MT46V64M8BN-75:D TR
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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음8,658
MT46V64M8BN-75 IT:D
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음7,470
MT46V64M8BN-75 IT:D TR
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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음7,488
MT46V64M8BN-75 L:D
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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음6,228
MT46V64M8BN-75 L:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 750ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x12.5)
재고 있음4,122
MT46V64M8CV-5B IT:J
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음8,856
MT46V64M8CV-5B IT:J
MT46V64M8CV-5B IT:J

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음23,628
MT46V64M8CV-5B IT:J TR
MT46V64M8CV-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,356
MT46V64M8CV-5B:J
MT46V64M8CV-5B:J

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x12.5)
재고 있음6,678