메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
W632GG6KB-11 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음7,038
W632GG6KB-12 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음8,046
W632GG6KB12I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음4,194
W632GG6KB12I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음6,120
W632GG6KB12J Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음2,682
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음3,042
W632GG6KB-15 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음6,714
W632GG6KB15I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음539
W632GG6KB15I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음8,280
W632GG6KB15J Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음7,416
W632GG6KB-15 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음7,866
W632GG6KB-18 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음6,678
W632GG6MB-07 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음8,568
W632GG6MB-08 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,204
W632GG6MB-09 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음6,156
W632GG6MB09I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.067GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음2,376
W632GG6MB09J Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.067GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음8,478
W632GG6MB-11 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,834
W632GG6MB11I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음8,766
W632GG6MB-11 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음5,544
W632GG6MB-12 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음8,046
W632GG6MB12I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음2,988
W632GG6MB12I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음6,084
W632GG6MB12J Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2GBIT 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,564
W632GG6MB-12 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,942
W632GG6MB-15 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,024
W632GG6MB15I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,420
W632GG6MB15I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음2,808
W632GG6MB15J Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2GBIT 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음4,356
W632GG6MB-15 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음2,016

W632GG6KB-11 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음7,038

W632GG6KB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음8,046

W632GG6KB12I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음4,194

W632GG6KB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음6,120

W632GG6KB12J

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음2,682

W632GG6KB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음3,042

W632GG6KB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음6,714

W632GG6KB15I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음539

W632GG6KB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음8,280

W632GG6KB15J

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음7,416

W632GG6KB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음7,866

W632GG6KB-18

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음6,678

W632GG6MB-07

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음8,568

W632GG6MB-08

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,204

W632GG6MB-09

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음6,156

W632GG6MB09I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.067GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음2,376

W632GG6MB09J

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.067GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음8,478

W632GG6MB-11

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,834

W632GG6MB11I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음8,766

W632GG6MB-11 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음5,544

W632GG6MB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음8,046

W632GG6MB12I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음2,988

W632GG6MB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음6,084

W632GG6MB12J

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2GBIT 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,564

W632GG6MB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,942

W632GG6MB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,024

W632GG6MB15I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,420

W632GG6MB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음2,808

W632GG6MB15J

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2GBIT 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음4,356

W632GG6MB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

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