메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
W632GG8MB-12 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음6,408
W632GG8MB12I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음2,538
W632GG8MB12I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음2,196
W632GG8MB-12 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,528
W632GG8MB-15 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음6,696
W632GG8MB15I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음7,722
W632GG8MB15I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음4,500
W632GG8MB-15 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음8,064
W632GG8NB-09 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.067GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음7,434
W632GG8NB09I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.067GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음5,994
W632GG8NB-11 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음2,412
W632GG8NB11I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음3,384
W632GG8NB-12 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음4,968
W632GG8NB12I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음3,508
W632GG8NB-15 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음2,016
W632GG8NB15I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)	재고 있음5,832
W632GU6AB-11 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,274
W632GU6AB-12 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,974
W632GU6AB-15 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,104
W632GU6KB-11 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음7,992
W632GU6KB11I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음7,938
W632GU6KB-12 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음6,318
W632GU6KB12I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음6,606
W632GU6KB12I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음3,222
W632GU6KB12J Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음2,880
W632GU6KB-12 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음7,236
W632GU6KB-15 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음160
W632GU6KB15I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음4,608
W632GU6KB15I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음6,750
W632GU6KB-15 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음8,982

W632GG8MB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음6,408

W632GG8MB12I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음2,538

W632GG8MB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음2,196

W632GG8MB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,528

W632GG8MB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음6,696

W632GG8MB15I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음7,722

W632GG8MB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음4,500

W632GG8MB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음8,064

W632GG8NB-09

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.067GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음7,434

W632GG8NB09I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.067GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음5,994

W632GG8NB-11

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음2,412

W632GG8NB11I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음3,384

W632GG8NB-12

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음4,968

W632GG8NB12I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음3,508

W632GG8NB-15

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음2,016

W632GG8NB15I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (8x10.5)

재고 있음5,832

W632GU6AB-11

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,274

W632GU6AB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,974

W632GU6AB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,104

W632GU6KB-11

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음7,992

W632GU6KB11I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음7,938

W632GU6KB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음6,318

W632GU6KB12I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음6,606

W632GU6KB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음3,222

W632GU6KB12J

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음2,880

W632GU6KB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음7,236

W632GU6KB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음160

W632GU6KB15I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음4,608

W632GU6KB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음6,750

W632GU6KB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음8,982

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message