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트랜지스터

기록 64,903
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설명
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BSC120N03MSGATMA1
BSC120N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 39A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음147,438
BSC123N08NS3GATMA1
BSC123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 55A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1870pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음1,142,814
BSC123N10LSGATMA1
BSC123N10LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta), 71A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 72µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 114W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,696
BSC12DN20NS3GATMA1
BSC12DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,338
BSC130P03LSGAUMA1
BSC130P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 22.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 22.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 150µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3670pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-3
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
재고 있음52,158
BSC13DN30NSFDATMA1
BSC13DN30NSFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 150V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,042
BSC152N10NSFGATMA1
BSC152N10NSFGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), 63A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 72µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 114W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,240
BSC159N10LSFGATMA1
BSC159N10LSFGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), 63A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 72µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 114W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,806
BSC160N10NS3GATMA1
BSC160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), 42A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음223,680
BSC160N15NS5ATMA1
BSC160N15NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 56A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.6V @ 60µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 96W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-7
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,942
BSC16DN25NS3GATMA1
BSC16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 32µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음53,670
BSC190N12NS3GATMA1
BSC190N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta), 44A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 42µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 60V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,060
BSC190N15NS3GATMA1
BSC190N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2420pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,840
BSC196N10NSGATMA1
BSC196N10NSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta), 45A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 42µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,326
BSC200P03LSGAUMA1
BSC200P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2430pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,888
BSC205N10LS G
BSC205N10LS G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta), 45A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 43µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 76W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,330
BSC220N20NSFDATMA1
BSC220N20NSFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRENCH >=100V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 137µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3680pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 214W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSON-8-3
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,822
BSC22DN20NS3GATMA1
BSC22DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 13µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 34W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,194
BSC240N12NS3 G
BSC240N12NS3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 31A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 60V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 66W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,454
BSC252N10NSFGATMA1
BSC252N10NSFGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 43µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,336
BSC265N10LSFGATMA1
BSC265N10LSFGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 43µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 78W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음6,894
BSC320N20NS3GATMA1
BSC320N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2350pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음5,526
BSC340N08NS3GATMA1
BSC340N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 23A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 12µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 756pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음259,758
BSC350N20NSFDATMA1
BSC350N20NSFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 35A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,284
BSC360N15NS3GATMA1
BSC360N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 45µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 74W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음76,044
BSC430N25NSFDATMA1
BSC430N25NSFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRENCH >=100V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™, StrongIRFET™
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TSON-8-3
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음8,694
BSC440N10NS3GATMA1
BSC440N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta), 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 12µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 810pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 29W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,834
BSC500N20NS3GATMA1
BSC500N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 60µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 96W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,510
BSC520N15NS3GATMA1
BSC520N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-5
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음98,112
BSC600N25NS3GATMA1
BSC600N25NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2350pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음2,754