트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSL305SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 939pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,400
BSL307SP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음8,712
BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-1 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,416
BSL307SPL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,428
BSL307SPT Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음6,480
BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 218µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 329pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음8,136
BSL373SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 218µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,906
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음22,530
BSL716SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 218µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,848
BSL802SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.75V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1347pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,276
BSL802SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1347pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,884
BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 204A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): +22V, -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1360W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: Module	재고 있음3,978
BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 BSM400C12P3G202 IS A CHOPPER MOD 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 106.8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): +22V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1570W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: Module	재고 있음4,500
BSM600C12P3G201 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 182mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): +22V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2460W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: Module	재고 있음6,804
BSN20,215 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830mW (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236AB 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,712
BSN20,235 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830mW (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236AB 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,734
BSN20-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음774,828
BSN20BKR Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 265mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.49nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20.2pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236AB 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,094,214
BSN20Q-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta), 920mW (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음26,772
BSN254,126 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음8,748
BSN254A,126 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음8,784
BSN304,126 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음4,356
BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음48,228
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,582
BSO051N03MS G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,790
BSO052N03S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5530pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,686
BSO064N03S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3620pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,874
BSO065N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,678
BSO072N03S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 45µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3230pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,304
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6750pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,932

BSL305SPEH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 939pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,400

BSL307SP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음8,712

BSL307SPH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-1
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,416

BSL307SPL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,428

BSL307SPT

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음6,480

BSL372SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 218µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 329pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음8,136

BSL373SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 218µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,906

BSL606SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음22,530

BSL716SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 218µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,848

BSL802SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.75V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1347pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,276

BSL802SNL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1347pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,884

BSM180C12P2E202

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 204A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): +22V, -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1360W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: Module

재고 있음3,978

BSM400C12P3G202

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BSM400C12P3G202 IS A CHOPPER MOD

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 106.8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): +22V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1570W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: Module

재고 있음4,500

BSM600C12P3G201

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 182mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): +22V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2460W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: Module

재고 있음6,804

BSN20,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236AB
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,712

BSN20,235

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 173mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236AB
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,734

BSN20-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음774,828

BSN20BKR

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 265mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.49nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20.2pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236AB
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,094,214

BSN20Q-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta), 920mW (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음26,772

BSN254,126

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음8,748

BSN254A,126

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음8,784

BSN304,126

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음4,356

BSO033N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음48,228

BSO040N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,582

BSO051N03MS G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,790

BSO052N03S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5530pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,686

BSO064N03S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3620pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,874

BSO065N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,678

BSO072N03S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 45µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3230pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,304

BSO080P03NS3EGXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6750pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,932

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