트랜지스터

BSO080P03NS3GXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6750pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO080P03SHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.79W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO080P03SNTMA1

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MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.79W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO083N03MSGXUMA1

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MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO094N03S

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MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO104N03S

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MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2130pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO110N03MSGXUMA1

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MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO119N03S

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MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO130N03MSGXUMA1

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO130P03SHXUMA1

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 140µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3520pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO130P03SNTMA1

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 140µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3520pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO200N03S

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO200P03SHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2330pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO200P03SNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2330pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO201SPHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO201SPNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5962pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO203SPHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3750pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO203SPNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2265pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.35W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO220N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO300N03S

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO301SPHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.79W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO301SPNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5890pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO303SPHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2330pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO303SPNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1754pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.35W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO4410

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 42µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO4410T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 42µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO4420

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2213pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO4420T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2213pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO4822

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 55µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.2nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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BSO4822T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 55µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.2nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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