트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152.7pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음22,038
BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152.7pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,370
BSP296NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152.7pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,574
BSP297 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 357pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,870
BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 357pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음74,400
BSP297L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 357pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,722
BSP298 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,020
BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음20,826
BSP298L6327HUSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,534
BSP299 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,520
BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음248,094
BSP299L6327HUSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,138
BSP300 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,448
BSP300H6327XUSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음21,270
BSP300L6327HUSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,472
BSP304A,126 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음3,690
BSP315P-E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,164
BSP315PE6327T Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,826
BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,834
BSP315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,624
BSP316PE6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,754
BSP316PE6327T Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,184
BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,538
BSP316PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,700
BSP317PE6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,960
BSP317PE6327T Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,406
BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음17,328
BSP317PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,228
BSP318S E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,928
BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.6A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,082

BSP296NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152.7pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음22,038

BSP296NH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152.7pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,370

BSP296NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152.7pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,574

BSP297 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 357pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,870

BSP297H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 357pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음74,400

BSP297L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 357pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,722

BSP298 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,020

BSP298H6327XUSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음20,826

BSP298L6327HUSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,534

BSP299 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,520

BSP299H6327XUSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음248,094

BSP299L6327HUSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,138

BSP300 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,448

BSP300H6327XUSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음21,270

BSP300L6327HUSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,472

BSP304A,126

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음3,690

BSP315P-E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,164

BSP315PE6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,826

BSP315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,834

BSP315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,624

BSP316PE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,754

BSP316PE6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,184

BSP316PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,538

BSP316PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,700

BSP317PE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,960

BSP317PE6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,406

BSP317PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음17,328

BSP317PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,228

BSP318S E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,928

BSP318SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.6A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,082

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