트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSP88E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,488
BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음22,374
BSP88L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,848
BSP89,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 375mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음118,800
BSP89 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,912
BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음34,548
BSP89L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,132
BSP92P E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,400
BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음29,574
BSP92PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,842
BSR202NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1147pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음49,332
BSR302NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,850
BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 620mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 176pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음218,232
BSR315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 620mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 176pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,174
BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,646
BSR316PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,928
BSR606NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,024
BSR802NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1447pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음213,516
BSR92PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 109pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음69,168
BSR92PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 109pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,204
BSS100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음7,506
BSS110 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음3,834
BSS119E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,010
BSS119 E6433 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,534
BSS119 E7796 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,284
BSS119 E7978 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,210
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,122
BSS119L6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,914
BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20.9pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음235,680
BSS119NH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20.9pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,690

BSP88E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,488

BSP88H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음22,374

BSP88L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,848

BSP89,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 375mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음118,800

BSP89 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,912

BSP89H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음34,548

BSP89L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,132

BSP92P E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,400

BSP92PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음29,574

BSP92PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,842

BSR202NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1147pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음49,332

BSR302NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,850

BSR315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 620mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 176pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음218,232

BSR315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 620mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 176pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,174

BSR316PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,646

BSR316PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,928

BSR606NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,024

BSR802NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1447pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음213,516

BSR92PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 109pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음69,168

BSR92PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 109pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,204

BSS100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 220MA TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음7,506

BSS110

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 170MA TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음3,834

BSS119E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,010

BSS119 E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,534

BSS119 E7796

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,284

BSS119 E7978

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,210

BSS119L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,122

BSS119L6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,914

BSS119NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 13µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20.9pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음235,680

BSS119NH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 13µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20.9pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,690

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