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트랜지스터

기록 64,903
페이지 1063/2164
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
BSS138K-7
BSS138K-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BSS FAMILY SOT23 T&R 3K

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.95nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23.2pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 380mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음3,150
BSS138L
BSS138L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.75V, 5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음126,908
BSS138_L99Z
BSS138_L99Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음7,182
BSS138LT1
BSS138LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,662
BSS138LT1G
BSS138LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,061,012
BSS138LT3
BSS138LT3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,052
BSS138LT3G
BSS138LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음11,123
BSS138LT7G
BSS138LT7G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NFET SOT23 50V 200MA 3.5O

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.75V, 5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,118
BSS138N-E6327
BSS138N-E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,610
BSS138N E6433
BSS138N E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,338
BSS138N E6908
BSS138N E6908

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,932
BSS138N E7854
BSS138N E7854

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음3,544
BSS138N E8004
BSS138N E8004

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,140
BSS138NH6327XTSA2
BSS138NH6327XTSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음602,808
BSS138NH6433XTMA1
BSS138NH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음229,476
BSS138NL6327HTSA1
BSS138NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음6,210
BSS138NL6433HTMA1
BSS138NL6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,250
BSS138P,215
BSS138P,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음5,459,076
BSS138PW,115
BSS138PW,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음777,918
BSS138Q-7-F
BSS138Q-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음57,096
BSS138-T
BSS138-T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

INTEGRATED CIRCUIT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,052
BSS138TA
BSS138TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음5,382
BSS138TA-79
BSS138TA-79

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH SOT23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음2,682
BSS138TC
BSS138TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,286
BSS138-TP
BSS138-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNELMOSFETSOT-23

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음226,386
BSS138W
BSS138W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.21A SOT323

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 38pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 340mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음297,624
BSS138W-7
BSS138W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음5,544
BSS138W-7-F
BSS138W-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음1,234,284
BSS138W E6327
BSS138W E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음7,236
BSS138W E6433
BSS138W E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: SIPMOS®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음2,682