트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음1,809,072
BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,752
BSS138W L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,950
BSS138W L6433 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,940
BSS138W-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,246
BSS139 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,076
BSS139 E6906 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,420
BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음330,744
BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,556
BSS139L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,898
BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,802
BSS159N E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,498
BSS159N E6906 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,712
BSS159NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,410
BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 39pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음25,914
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음29,460
BSS159NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,812
BSS159NL6906HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,914
BSS169 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,220
BSS169 E6906 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,868
BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음139,098
BSS169H6906XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 10V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,960
BSS169L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,142
BSS169L6906HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,114
BSS192,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음601,248
BSS192,135 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음2,100
BSS192PE6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음5,022
BSS192PE6327T Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음8,748
BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음176,844
BSS192PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음5,508

BSS138WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음1,809,072

BSS138WH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,752

BSS138W L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,950

BSS138W L6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,940

BSS138W-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,246

BSS139 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,076

BSS139 E6906

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,420

BSS139H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음330,744

BSS139H6906XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,556

BSS139L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,898

BSS139L6906HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 56µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 76pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,802

BSS159N E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,498

BSS159N E6906

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,712

BSS159NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,410

BSS159NH6327XTSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 39pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음25,914

BSS159NH6906XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음29,460

BSS159NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,812

BSS159NL6906HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 44pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,914

BSS169 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,220

BSS169 E6906

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,868

BSS169H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음139,098

BSS169H6906XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 10V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,960

BSS169L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,142

BSS169L6906HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 68pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,114

BSS192,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음601,248

BSS192,135

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음2,100

BSS192PE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음5,022

BSS192PE6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음8,748

BSS192PH6327FTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음176,844

BSS192PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음5,508

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