트랜지스터

BSS670S2L

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 2.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS670S2LH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 2.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS670S2LH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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BSS670S2LL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 2.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS7728N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 26µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 26µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS7728NH6327XTSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 26µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS7728NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 26µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS806NEH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 0.75V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 529pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS806NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 529pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS806NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 529pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS816NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 0.75V @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 2.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS816NW L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 2.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS83PE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.57nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS83PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.57nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS83PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.57nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA DIE

• 제조업체: MICROSS/On Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250mW (Tc)
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84AK,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V TO-236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84AK-BR

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.14W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS84AKM,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 340mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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BSS84AKMB,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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BSS84AKT,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V SC-75

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250mW (Ta), 770mW (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-75
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

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BSS84AKVL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS84AKW,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS84AKW-BX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS84_D87Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 73pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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