트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 8µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 228pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음269,598
BSV236SP L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 8µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 228pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음2,070
BSZ013NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 32A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,020
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 12V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,966
BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 27A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,766
BSZ018NE2LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,402
BSZ018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음51,660
BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta). 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음84,480
BSZ023N04LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,426
BSZ025N04LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3680pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음43,008
BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,166
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 19A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1230pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,184
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 18A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1230pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,508
BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음103,368
BSZ035N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,290
BSZ035N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음349,536
BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음241,530
BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 36µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음84,510
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,480
BSZ042N04NSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 36µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,822
BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 36µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음103,566
BSZ0500NSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,304
BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 25A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,274
BSZ0502NSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 22A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 43W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,982
BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,118
BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,194
BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,034
BSZ050N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,088
BSZ0589NSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 17A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음51,102
BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음143,694

BSV236SPH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 8µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 228pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음269,598

BSV236SP L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 8µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 228pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음2,070

BSZ013NE2LS5IATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 32A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,020

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 12V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,966

BSZ017NE2LS5IATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 27A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,766

BSZ018NE2LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,402

BSZ018NE2LSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음51,660

BSZ019N03LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta). 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음84,480

BSZ023N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,426

BSZ025N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3680pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음43,008

BSZ028N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,166

BSZ031NE2LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 19A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1230pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,184

BSZ033NE2LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 18A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1230pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,508

BSZ034N04LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음103,368

BSZ035N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,290

BSZ035N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음349,536

BSZ036NE2LSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음241,530

BSZ040N04LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 36µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음84,510

BSZ040N06LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,480

BSZ042N04NSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 36µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,822

BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 36µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음103,566

BSZ0500NSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,304

BSZ0501NSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,274

BSZ0502NSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,982

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,118

BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,194

BSZ050N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,034

BSZ050N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,088

BSZ0589NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 17A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음51,102

BSZ058N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음143,694

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