트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BTS113ANKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,320
BTS115ANKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,868
BTS121AE3045ANTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 95W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,820
BTS121ANKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 95W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,340
BTS244Z E3043 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO220-5-43 패키지 / 케이스: TO-220-5	재고 있음4,752
BTS244ZE3043AKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-12 패키지 / 케이스: TO-220-5	재고 있음6,372
BTS244Z E3062A Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-62 패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	재고 있음4,680
BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-5-2 패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	재고 있음8,028
BTS244ZNKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-3 패키지 / 케이스: TO-220-5 Formed Leads	재고 있음8,532
BTS247ZAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-3 패키지 / 케이스: TO-220-5 Formed Leads	재고 있음5,994
BTS247ZE3043AKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO220-5-43 패키지 / 케이스: TO-220-5	재고 있음3,348
BTS247Z E3062A Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-5-2 패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	재고 있음6,462
BTS247ZE3062AATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-5-2 패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	재고 있음8,478
BTS282ZAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 49V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO220-7-3 패키지 / 케이스: TO-220-7	재고 있음7,722
BTS282Z E3180A Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 49V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO220-7-180 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음6,048
BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 49V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-7-1 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음12,024
BTS282Z E3230 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 49V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO220-7-230 패키지 / 케이스: TO-220-7	재고 있음6,948
BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 49V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-7-12 패키지 / 케이스: TO-220-7	재고 있음9,420
BUK3F00-50WFEA,518 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,796
BUK3F00-50WGFA,518 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,712
BUK6207-30C,118 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54.8nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3470pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,730
BUK6207-55C,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 90A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 158W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,560
BUK6208-40C,118 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,580
BUK6209-30C,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.5nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1760pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음99,354
BUK6210-55C,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 78A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음40,188
BUK6211-75C,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 74A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5251pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 158W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,042
BUK6212-40C,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.9nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,412
BUK6213-30A,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 55A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1986pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 102W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,984
BUK6213-30C,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 47A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1108pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,820
BUK6215-75C,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 57A DPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61.8nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,164

BTS113ANKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,320

BTS115ANKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,868

BTS121AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 95W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,820

BTS121ANKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 95W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,340

BTS244Z E3043

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO220-5-43
패키지 / 케이스: TO-220-5

재고 있음4,752

BTS244ZE3043AKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-12
패키지 / 케이스: TO-220-5

재고 있음6,372

BTS244Z E3062A

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-62
패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

재고 있음4,680

BTS244ZE3062AATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-5-2
패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

재고 있음8,028

BTS244ZNKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-3
패키지 / 케이스: TO-220-5 Formed Leads

재고 있음8,532

BTS247ZAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-3
패키지 / 케이스: TO-220-5 Formed Leads

재고 있음5,994

BTS247ZE3043AKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO220-5-43
패키지 / 케이스: TO-220-5

재고 있음3,348

BTS247Z E3062A

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-5-2
패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

재고 있음6,462

BTS247ZE3062AATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-5-2
패키지 / 케이스: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

재고 있음8,478

BTS282ZAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 49V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO220-7-3
패키지 / 케이스: TO-220-7

재고 있음7,722

BTS282Z E3180A

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 49V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO220-7-180
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음6,048

BTS282ZE3180AATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 49V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-7-1
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음12,024

BTS282Z E3230

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 49V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO220-7-230
패키지 / 케이스: TO-220-7

재고 있음6,948

BTS282ZE3230AKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 49V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-7-12
패키지 / 케이스: TO-220-7

재고 있음9,420

BUK3F00-50WFEA,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,796

BUK3F00-50WGFA,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,712

BUK6207-30C,118

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3470pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,730

BUK6207-55C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 90A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 158W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,560

BUK6208-40C,118

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,580

BUK6209-30C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1760pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음99,354

BUK6210-55C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 78A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음40,188

BUK6211-75C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 74A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5251pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 158W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,042

BUK6212-40C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,412

BUK6213-30A,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1986pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 102W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,984

BUK6213-30C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 47A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1108pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,820

BUK6215-75C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 57A DPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,164

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