트랜지스터

BUK661R6-30C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 229nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14964pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK661R8-30C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 168nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10918pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 263W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK661R9-40C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15100pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK662R4-40C,118

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 199nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11334pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 263W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK662R5-30C,118

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6960pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 204W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK662R7-55C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 258nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK663R2-40C,118

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8020pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 204W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK663R5-30C,118

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4707pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 158W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK663R5-55C,118

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 191nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11516pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 263W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK663R7-75C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 234nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15450pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK664R4-55C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7750pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 204W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BUK664R6-40C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 158W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK664R8-75C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 177nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 263W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK6C2R1-55C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 228A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 253nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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BUK6C3R3-75C,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 181A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 253nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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BUK6D120-60PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta), 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 724pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
• 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

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BUK6D23-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 19A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 582pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
• 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

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BUK6D43-40PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
• 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

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BUK6D43-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
• 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

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BUK6E2R0-30C,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 229nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14964pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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BUK6E2R3-40C,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15100pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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BUK6E3R2-55C,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 258nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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BUK6E3R4-40C,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8020pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 204W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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BUK6E4R0-75C,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 234nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15450pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 306W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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BUK6Y12-30PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.88nF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 106W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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BUK6Y15-40PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 63A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.47nF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 106W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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BUK6Y20-30PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6Y20-30P/SOT669/LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1408pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 66W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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BUK6Y25-40PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6Y25-40P/SOT669/LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1591pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 66W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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BUK6Y32-60PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52.9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.59nF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 106W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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BUK6Y57-60PX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.2nF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 66W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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