트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 14µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음45,072
BSZ105N04NSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 14µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,068
BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 23µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음254,220
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 22µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음50,232
BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 73µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3360pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,564
BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 73µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3360pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,646
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 66W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음37,524
BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,588
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음122,430
BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,064
BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,416
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 33µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,094
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 12µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,094
BSZ165N04NSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,660
BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 32µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음44,184
BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 39.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 48µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,780
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 39.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 48µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,788
BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,642
BSZ240N12NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 60V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 66W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,366
BSZ300N15NS5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.6V @ 32µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,046
BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 12µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음146,436
BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,600
BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 12µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음314,328
BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음334,638
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,794
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,892
BTS110E3045ANTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,092
BTS110NKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,052
BTS113AE3045ANTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,112
BTS113AE3064NKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TEMPFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: P-TO220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,110

BSZ100N06NSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 14µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음45,072

BSZ105N04NSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 14µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,068

BSZ110N06NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 23µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음254,220

BSZ110N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 22µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음50,232

BSZ120P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 73µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3360pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,564

BSZ120P03NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 73µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3360pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,646

BSZ123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음37,524

BSZ12DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,588

BSZ130N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음122,430

BSZ130N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,064

BSZ146N10LS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,416

BSZ150N10LS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 33µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,094

BSZ160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 12µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,094

BSZ165N04NSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,660

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 32µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음44,184

BSZ180P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 39.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 48µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,780

BSZ180P03NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 39.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 48µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,788

BSZ22DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 13µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,642

BSZ240N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 60V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 66W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,366

BSZ300N15NS5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.6V @ 32µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,046

BSZ340N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 12µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음146,436

BSZ42DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 13µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,600

BSZ440N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 12µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음314,328

BSZ520N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음334,638

BSZ900N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,794

BSZ900N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,892

BTS110E3045ANTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,092

BTS110NKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,052

BTS113AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,112

BTS113AE3064NKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TEMPFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: P-TO220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,110

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