트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSS192PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음6,372
BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음94,656
BSS205NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,240
BSS209PW Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 580mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 89.9pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,930
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음660,582
BSS209PW L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 580mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 89.9pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음8,748
BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음710,976
BSS214NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,642
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음25,356
BSS214NW L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음3,618
BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 346pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음261,420
BSS215PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 346pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,986
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,860
BSS223PW L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음3,600
BSS225 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음3,852
BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음34,026
BSS225H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음2,106
BSS225L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음6,120
BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음230,586
BSS306NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,262
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음726,582
BSS308PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,580
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음66,708
BSS314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,454
BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음46,572
BSS315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,762
BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음326,490
BSS316NL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,038
BSS340NWH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL+P-CH 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,338
BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음23,028

BSS192PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 104pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음6,372

BSS205NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음94,656

BSS205NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,240

BSS209PW

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 580mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 89.9pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,930

BSS209PWH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음660,582

BSS209PW L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 580mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 89.9pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음8,748

BSS214NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음710,976

BSS214NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,642

BSS214NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음25,356

BSS214NW L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음3,618

BSS215PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 346pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음261,420

BSS215PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 346pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,986

BSS223PWH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,860

BSS223PW L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음3,600

BSS225

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음3,852

BSS225H6327FTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음34,026

BSS225H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음2,106

BSS225L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 94µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 131pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음6,120

BSS306NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음230,586

BSS306NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,262

BSS308PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음726,582

BSS308PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,580

BSS314PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음66,708

BSS314PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,454

BSS315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음46,572

BSS315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,762

BSS316NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음326,490

BSS316NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,038

BSS340NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL+P-CH

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,338

BSS606NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음23,028

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