트랜지스터

BSS126 E6906

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS126H6906XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS126L6906HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS127 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS127H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS127H6327XTSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS127L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 8µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS127S-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.08nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.8pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 610mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS127SSN-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.08nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.8pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 610mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-59
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS131E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 56µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 77pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS131H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 56µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 77pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS131L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 56µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 77pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

• 제조업체: MICROSS/On Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: Die
• 패키지 / 케이스: Die

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BSS138

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138-13-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BSS FAMILY SOT23 T&R 10K

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS138-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138AKA/LF1R

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250A
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.51nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.06W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138AKAR

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.51nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138BK,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138BKVL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138BKW,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT323

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS138BKW-BX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 320MA SC70

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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BSS138-D87Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS138-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS138K

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 58pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS138K-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.95nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23.2pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 380mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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