트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSP135L6906HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,006
BSP149 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,868
BSP149 E6906 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,606
BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음28,470
BSP149H6906XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,698
BSP149L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,412
BSP149L6906HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,356
BSP170PE6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,070
BSP170PE6327T Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,624
BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,182
BSP170PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,946
BSP171PE6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,066
BSP171PE6327T Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,916
BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음119,946
BSP171PL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,006
BSP179H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 135pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,082
BSP220,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 225mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음173,298
BSP225,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 225mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음34,272
BSP230,135 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음81,456
BSP250,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음93,288
BSP250,135 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음340,698
BSP254A,126 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음5,004
BSP295E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,716
BSP295E6327T Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,282
BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,506
BSP295L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,708
BSP296E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.79W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,582
BSP296 E6433 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.79W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,532
BSP296L6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.79W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,678
BSP296L6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.79W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,392

BSP135L6906HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 94µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 146pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,006

BSP149 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,868

BSP149 E6906

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,606

BSP149H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음28,470

BSP149H6906XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,698

BSP149L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,412

BSP149L6906HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,356

BSP170PE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,070

BSP170PE6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,624

BSP170PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,182

BSP170PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,946

BSP171PE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,066

BSP171PE6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,916

BSP171PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음119,946

BSP171PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 460µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,006

BSP179H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 94µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 135pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,082

BSP220,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 225mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음173,298

BSP225,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 225mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음34,272

BSP230,135

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음81,456

BSP250,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음93,288

BSP250,135

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음340,698

BSP254A,126

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음5,004

BSP295E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,716

BSP295E6327T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,282

BSP295H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,506

BSP295L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 368pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,708

BSP296E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.79W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,582

BSP296 E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.79W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,532

BSP296L6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.79W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,678

BSP296L6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.79W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,392

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