트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 125V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,352
BSC882N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,124
BSC882N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,418
BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 98A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,222
BSC883N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 98A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,002
BSC884N03MS G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,526
BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,330
BSC889N03LSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,802
BSC889N03MSGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,114
BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,758
BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음8,370
BSD214SN L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음3,114
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음4,194
BSD314SPEL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음2,682
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음5,976
BSD316SNL6327XT Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음6,714
BSD816SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.95V @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 2.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음8,010
BSD816SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 3.7µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 2.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음6,822
BSF024N03LT3GXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 106A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음8,244
BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음4,086
BSF035NE2LQXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1862pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음5,454
BSF045N03MQ3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 63A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음3,580
BSF050N03LQ3GXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음3,490
BSF053N03LT G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음8,100
BSF077N06NT3GXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 33µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음3,060
BSF083N03LQ G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 53A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음7,920
BSF134N10NJ3GXUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 43W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음5,598
BSF450NE7NH3XUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 8µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 390pF @ 37.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 18W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스: 3-WDSON	재고 있음4,788
BSG0812NDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TISON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,172
BSH103,215 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 850mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236AB 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,027,002

BSC670N25NSFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 125V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,352

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,124

BSC882N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,418

BSC883N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 98A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,222

BSC883N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 98A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,002

BSC884N03MS G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,526

BSC886N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,330

BSC889N03LSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,802

BSC889N03MSGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,114

BSC900N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,758

BSD214SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음8,370

BSD214SN L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음3,114

BSD314SPEH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음4,194

BSD314SPEL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음2,682

BSD316SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음5,976

BSD316SNL6327XT

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음6,714

BSD816SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.95V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음8,010

BSD816SNL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음6,822

BSF024N03LT3GXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 106A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음8,244

BSF030NE2LQXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음4,086

BSF035NE2LQXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1862pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음5,454

BSF045N03MQ3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 63A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음3,580

BSF050N03LQ3GXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음3,490

BSF053N03LT G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 71A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음8,100

BSF077N06NT3GXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 33µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 38W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음3,060

BSF083N03LQ G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 53A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음7,920

BSF134N10NJ3GXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음5,598

BSF450NE7NH3XUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 8µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 390pF @ 37.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 18W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스: 3-WDSON

재고 있음4,788

BSG0812NDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TISON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,172

BSH103,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 850mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236AB
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,027,002

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