트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CPC3720C IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 350V SOT89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 130mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음2,358
CPC3730C IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 350V SOT89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 140mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음2,430
CPC3902CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V TO-243AA 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 20V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음3,546
CPC3902ZTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V SOT-223 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 20V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 110°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,354
CPC3909CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V SOT-89 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음13,626
CPC3909ZTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V SOT-223 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,598
CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V SOT-223 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음22,044
CPC3980ZTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V SOT-223 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음13,662
CPC3982TTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V SOT-23 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380Ohm @ 20mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 110°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음24,672
CPC5602CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,754
CPC5603CTR IXYS Integrated Circuits Division	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 415V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음16,392
CPH3348-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음2,430
CPH3348-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,534
CPH3350-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,974
CPH3351-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,552
CPH3351-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음726,612
CPH3355-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,644
CPH3355-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음25,920
CPH3356-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,146
CPH3356-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음58,182
CPH3360-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,740
CPH3360-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,186
CPH3362-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 142pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음55,410
CPH3448-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음4,068
CPH3448-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음84,180
CPH3455-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 186pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음4,104
CPH3455-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 186pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,968
CPH3456-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,986
CPH3456-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음29,394
CPH3457-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음2,700

CPC3720C

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V SOT89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 130mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음2,358

CPC3730C

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V SOT89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 140mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음2,430

CPC3902CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V TO-243AA

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 20V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음3,546

CPC3902ZTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V SOT-223

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 20V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 110°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,354

CPC3909CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V SOT-89

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음13,626

CPC3909ZTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V SOT-223

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 110°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,598

CPC3960ZTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V SOT-223

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음22,044

CPC3980ZTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V SOT-223

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음13,662

CPC3982TTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V SOT-23

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380Ohm @ 20mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 110°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음24,672

CPC5602CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,754

CPC5603CTR

IXYS Integrated Circuits Division

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223

제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 415V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -0.35V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음16,392

CPH3348-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음2,430

CPH3348-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,534

CPH3350-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,974

CPH3351-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,552

CPH3351-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음726,612

CPH3355-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,644

CPH3355-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음25,920

CPH3356-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,146

CPH3356-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음58,182

CPH3360-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,740

CPH3360-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,186

CPH3362-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 142pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음55,410

CPH3448-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음4,068

CPH3448-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음84,180

CPH3455-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 35V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 186pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음4,104

CPH3455-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 35V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 186pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,968

CPH3456-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,986

CPH3456-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음29,394

CPH3457-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음2,700

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