트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CPH6444-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,652
CPH6444-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,040
CPH6445-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음43,182
CPMF-1200-S080B Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.8nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1915pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 313mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,046
CPMF-1200-S160B Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.1nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 928pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 202W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,052
CSD13201W10 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 462pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA	재고 있음550,482
CSD13202Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 76A 6SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음634,356
CSD13302W Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 1.6A 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 862pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-DSBGA 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA	재고 있음24,900
CSD13302WT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 862pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA	재고 있음5,544
CSD13303W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음2,106
CSD13306W Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 3.5A 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음6,768
CSD13306WT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음24,594
CSD13380F3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음58,692
CSD13380F3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음83,748
CSD13381F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음5,177,952
CSD13381F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음276,498
CSD13383F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 291pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음5,886
CSD13383F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 291pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음140,712
CSD13385F5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음26,514
CSD13385F5T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음103,896
CSD15380F3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.35V @ 2.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.281nC @ 10V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.5pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음267,612
CSD15380F3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.35V @ 2.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.281nC @ 10V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.5pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음17,286
CSD15571Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-SON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음3,454
CSD16301Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 6-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-SON 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음323,046
CSD16321Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음1,480,404
CSD16321Q5C Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,290
CSD16322Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 97A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1365pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음22,038
CSD16322Q5C Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 97A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 97A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1365pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SON 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,172
CSD16323Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음575,178
CSD16323Q3C Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SON-EP (3x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,994

CPH6444-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,652

CPH6444-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,040

CPH6445-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음43,182

CPMF-1200-S080B

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1915pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 313mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,046

CPMF-1200-S160B

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.1nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 928pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 202W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,052

CSD13201W10

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 462pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA

재고 있음550,482

CSD13202Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 76A 6SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음634,356

CSD13302W

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 1.6A

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 862pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-DSBGA
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA

재고 있음24,900

CSD13302WT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 862pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA

재고 있음5,544

CSD13303W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음2,106

CSD13306W

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 3.5A

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음6,768

CSD13306WT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음24,594

CSD13380F3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음58,692

CSD13380F3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음83,748

CSD13381F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음5,177,952

CSD13381F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음276,498

CSD13383F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 291pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음5,886

CSD13383F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 291pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음140,712

CSD13385F5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음26,514

CSD13385F5T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음103,896

CSD15380F3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.281nC @ 10V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.5pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음267,612

CSD15380F3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.281nC @ 10V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.5pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음17,286

CSD15571Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-SON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음3,454

CSD16301Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 6-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-SON
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음323,046

CSD16321Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음1,480,404

CSD16321Q5C

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,290

CSD16322Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 97A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1365pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음22,038

CSD16322Q5C

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 97A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 97A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1365pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SON
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,172

CSD16323Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음575,178

CSD16323Q3C

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SON-EP (3x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,994

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