트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD17304Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,076
CSD17305Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,658
CSD17306Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2170pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음38,988
CSD17307Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 73A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음248,046
CSD17308Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 47A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음1,347,594
CSD17308Q3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음132,948
CSD17309Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음42,330
CSD17310Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1560pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음224,478
CSD17311Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,786
CSD17312Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5240pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음48,042
CSD17313Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음269,310
CSD17313Q2Q1 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 제조업체: 시리즈: Automotive, AEC-Q100, NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음43,104
CSD17313Q2Q1T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 17W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음8,514
CSD17313Q2T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5A 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 17W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음22,104
CSD17318Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 30V N CH MOSFET 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 16W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음2,916
CSD17318Q2T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 16W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음19,392
CSD17322Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 87A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 695pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,754
CSD17327Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 506pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,100
CSD17381F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음246,372
CSD17381F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음160,176
CSD17382F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 347pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음332,808
CSD17382F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 347pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음112,944
CSD17483F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음1,523,478
CSD17483F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음180,276
CSD17484F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음630,450
CSD17484F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.2nC @ 8V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음1,515,954
CSD17501Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음25,326
CSD17505Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1980pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,714
CSD17506Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음116,904
CSD17507Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음68,202

CSD17304Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 56A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,076

CSD17305Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,658

CSD17306Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2170pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음38,988

CSD17307Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 73A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음248,046

CSD17308Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 47A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음1,347,594

CSD17308Q3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음132,948

CSD17309Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음42,330

CSD17310Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1560pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음224,478

CSD17311Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,786

CSD17312Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5240pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음48,042

CSD17313Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음269,310

CSD17313Q2Q1

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

제조업체:
시리즈: Automotive, AEC-Q100, NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음43,104

CSD17313Q2Q1T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음8,514

CSD17313Q2T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음22,104

CSD17318Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

30V N CH MOSFET

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 16W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음2,916

CSD17318Q2T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 16W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음19,392

CSD17322Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 87A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 87A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 695pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,754

CSD17327Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 506pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,100

CSD17381F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음246,372

CSD17381F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음160,176

CSD17382F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 347pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음332,808

CSD17382F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 347pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음112,944

CSD17483F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음1,523,478

CSD17483F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음180,276

CSD17484F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음630,450

CSD17484F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.2nC @ 8V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음1,515,954

CSD17501Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음25,326

CSD17505Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1980pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,714

CSD17506Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음116,904

CSD17507Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음68,202

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