트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD16325Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음39,816
CSD16325Q5C Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,038
CSD16327Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음88,392
CSD16327Q3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSD16327Q3T 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음22,704
CSD16340Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음523,854
CSD16340Q3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음17,682
CSD16342Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음18,612
CSD16401Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음42,162
CSD16401Q5T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,580
CSD16403Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음81,288
CSD16404Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 81A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음166,230
CSD16406Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음101,322
CSD16407Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,456
CSD16407Q5C Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,136
CSD16408Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 113A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,930
CSD16408Q5C Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 113A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 113A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,778
CSD16409Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,870
CSD16410Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,662
CSD16411Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음121,398
CSD16412Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,004
CSD16413Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.7nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1780pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,654
CSD16414Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3650pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음23,388
CSD16415Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,552
CSD16415Q5T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음14,232
CSD16556Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6180pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 191W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,012
CSD16570Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,256
CSD16570Q5BT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음52,704
CSD17301Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 28A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3480pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음123,264
CSD17302Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 87A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음23,154
CSD17303Q5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,856

CSD16325Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음39,816

CSD16325Q5C

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,038

CSD16327Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음88,392

CSD16327Q3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSD16327Q3T

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음22,704

CSD16340Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음523,854

CSD16340Q3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음17,682

CSD16342Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음18,612

CSD16401Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음42,162

CSD16401Q5T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,580

CSD16403Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음81,288

CSD16404Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 81A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음166,230

CSD16406Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음101,322

CSD16407Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,456

CSD16407Q5C

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,136

CSD16408Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 113A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,930

CSD16408Q5C

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 113A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 113A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,778

CSD16409Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,870

CSD16410Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,662

CSD16411Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음121,398

CSD16412Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,004

CSD16413Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1780pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,654

CSD16414Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3650pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음23,388

CSD16415Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,552

CSD16415Q5T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음14,232

CSD16556Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6180pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,012

CSD16570Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,256

CSD16570Q5BT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음52,704

CSD17301Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 28A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3480pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음123,264

CSD17302Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 87A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 87A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음23,154

CSD17303Q5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,856

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