트랜지스터

DMTH8012LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 72A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1949pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

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DMTH8012LPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 72A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2051pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

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DMTH8012LPSW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1949pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

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DN1509K1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 490mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-5
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753

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DN1509N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN2450K4-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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DN2450N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN2470K4-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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DN2530N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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DN2530N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN2535N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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DN2535N3-G-P003

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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DN2535N3-G-P013

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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DN2535N5-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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DN2540N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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DN2540N5-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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DN2540N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN2625K4-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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DN3135K1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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DN3135N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 135mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN3145N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN3525N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN3535N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN3545N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 136mA
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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DN3545N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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DN3765K4-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 825pF @ 25V
• FET 기능: Depletion Mode
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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E3M0065090D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, E
• FET 유형: N-Channel
• 기술: SiCFET (Silicon Carbide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84.5mOhm @ 20A, 15V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.4nC @ 15V
• Vgs (최대): +18V, -8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 600V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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E3M0120090D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, E
• FET 유형: N-Channel
• 기술: SiCFET (Silicon Carbide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 15V
• Vgs (최대): +18V, -8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 600V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 97W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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E3M0280090D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, E
• FET 유형: N-Channel
• 기술: SiCFET (Silicon Carbide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 15V
• Vgs (최대): +18V, -8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 600V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 54W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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