트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EPC2029 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 12mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음33,138
EPC2030 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET NCH 40V 31A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 16mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음76,464
EPC2030ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET NCH 40V 31A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 16mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음26,238
EPC2031 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET NCH 60V 31A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음23,736
EPC2031ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET NCH 60V 31A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음28,920
EPC2032 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 11mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,448
EPC2033 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1140pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음32,334
EPC2034 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,770
EPC2034C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS GAN 200V 8MOHM DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1140pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음27,228
EPC2035 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음49,314
EPC2036 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,286,026
EPC2037 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.12nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음614,934
EPC2038 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.044nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.4pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음1,148,130
EPC2039 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 80V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,786
EPC2040 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET NCH 15V 3.4A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.93nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음676,590
EPC2045 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 685pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음330,630
EPC2045ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 685pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,392
EPC2049ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 40V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.6nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음14,964
EPC2051 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 258pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음42,354
EPC2051ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음6,138
EPC2052 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS GAN 100V DIE 16MOHM 제조업체: EPC 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음54,072
EPC2053 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS GAN 100V DIE 4MOHM 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.8nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1895pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음18,876
EPC2202 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 80V 18A DIE 제조업체: EPC 시리즈: Automotive, AEC-Q101, eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (최대): +5.75V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 415pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (6-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음373,800
EPC2203 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR 제조업체: EPC 시리즈: Automotive, AEC-Q101, eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.83nC @ 5V Vgs (최대): +5.75V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음56,460
EPC2206 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 80V 90A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 13mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1940pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음48,888
EPC2212 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 407pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음26,022
EPC2214 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 AEC-Q101 GAN FET 80V 20 MOHM 제조업체: EPC 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음56,268
EPC8002 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 32.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음521,712
EPC8004 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 52pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,572
EPC8009 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 52pF @ 32.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,960

EPC2029

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 12mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음33,138

EPC2030

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET NCH 40V 31A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 16mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음76,464

EPC2030ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET NCH 40V 31A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 16mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음26,238

EPC2031

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET NCH 60V 31A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 15mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음23,736

EPC2031ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET NCH 60V 31A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 15mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음28,920

EPC2032

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 11mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,448

EPC2033

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1140pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음32,334

EPC2034

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,770

EPC2034C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS GAN 200V 8MOHM DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1140pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음27,228

EPC2035

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.15nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음49,314

EPC2036

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,286,026

EPC2037

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.12nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음614,934

EPC2038

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.044nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.4pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음1,148,130

EPC2039

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 80V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,786

EPC2040

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET NCH 15V 3.4A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.93nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음676,590

EPC2045

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 685pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음330,630

EPC2045ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 685pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,392

EPC2049ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 40V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.6nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음14,964

EPC2051

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 258pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음42,354

EPC2051ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음6,138

EPC2052

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS GAN 100V DIE 16MOHM

제조업체: EPC
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음54,072

EPC2053

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS GAN 100V DIE 4MOHM

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.8nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1895pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음18,876

EPC2202

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 80V 18A DIE

제조업체: EPC
시리즈: Automotive, AEC-Q101, eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
Vgs (최대): +5.75V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 415pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (6-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음373,800

EPC2203

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

제조업체: EPC
시리즈: Automotive, AEC-Q101, eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.83nC @ 5V
Vgs (최대): +5.75V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음56,460

EPC2206

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 80V 90A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 13mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1940pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음48,888

EPC2212

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 407pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음26,022

EPC2214

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

AEC-Q101 GAN FET 80V 20 MOHM

제조업체: EPC
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음56,268

EPC8002

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21pF @ 32.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음521,712

EPC8004

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 52pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,572

EPC8009

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 52pF @ 32.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,960

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