트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDMC7692S-F127 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,340
FDMC7696 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음101,934
FDMC8010 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음651,444
FDMC8010DC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET 2 N-CH 30V 157A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 15V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7080pF @ 15V FET 기능: Standard 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,068
FDMC8010ET30 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 174A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,310
FDMC8015L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 7A 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 945pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,138
FDMC8026S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3165pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음29,892
FDMC8296 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,344
FDMC8321L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 22A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음53,664
FDMC8321LDC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 27A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 108A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3965pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool ™ 33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,586
FDMC8327L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 12A 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,906
FDMC8360L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5795pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,462
FDMC8360LET40 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 141A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,014
FDMC8462 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음97,026
FDMC8554 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3380pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음26,358
FDMC8588 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1228pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,842
FDMC8588DC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 25V 40A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1695pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool ™ 33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,362
FDMC86012 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 23A 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음28,026
FDMC86102 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,950
FDMC86102L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1330pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음58,710
FDMC86102LZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음307,614
FDMC86106LZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,884
FDMC86116LZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,856
FDMC86139P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta), 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1335pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음123,108
FDMC86160 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 100V 9A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 43A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,484
FDMC86160ET100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 43A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음26,712
FDMC86183 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음23,376
FDMC86184 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 6V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2090pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음45,900
FDMC8622 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 4A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 402pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,364
FDMC86240 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 16A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 905pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음29,796

FDMC7692S-F127

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,340

FDMC7696

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음101,934

FDMC8010

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음651,444

FDMC8010DC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET 2 N-CH 30V 157A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 15V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7080pF @ 15V
FET 기능: Standard
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,068

FDMC8010ET30

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 174A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,310

FDMC8015L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 7A 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 945pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,138

FDMC8026S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3165pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음29,892

FDMC8296

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,344

FDMC8321L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 22A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음53,664

FDMC8321LDC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 27A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 108A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3965pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool ™ 33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,586

FDMC8327L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 12A 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,906

FDMC8360L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5795pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,462

FDMC8360LET40

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 141A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,014

FDMC8462

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 14A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음97,026

FDMC8554

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3380pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음26,358

FDMC8588

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1228pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,842

FDMC8588DC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 25V 40A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1695pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool ™ 33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,362

FDMC86012

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 23A 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음28,026

FDMC86102

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,950

FDMC86102L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1330pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음58,710

FDMC86102LZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음307,614

FDMC86106LZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,884

FDMC86116LZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,856

FDMC86139P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta), 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1335pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음123,108

FDMC86160

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 9A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,484

FDMC86160ET100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음26,712

FDMC86183

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음23,376

FDMC86184

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 6V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2090pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음45,900

FDMC8622

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 4A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 402pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,364

FDMC86240

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 16A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 905pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음29,796

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