트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMMT5551-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음8,748
DMMT5551-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음7,128
DMMT5551S-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음25,518
DMMT5551-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음7,218
DN0150ADJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음199,194
DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음5,814
DP0150ADJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음8,892
DP0150BDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음5,238
DSS4160DS-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 1A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음4,662
DSS4160FDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPH U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V 전력-최대: 405mW 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음27,414
DSS45160FDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 405mW 주파수-전환: 175MHz, 65MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음27,672
DSS5160FDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 405mW 주파수-전환: 65MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음22,218
DST3904DJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음5,346
DST3906DJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음8,532
DST3946DPJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음8,226
DST847BDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음7,650
DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 175MHz, 340MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음6,336
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 340MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음98,670
ECH8501-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.6W 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음3,132
ECH8502-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V, 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.6W 주파수-전환: 290MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음6,246
ECH8503-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.6W 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음8,082
E-L6221AD STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC	재고 있음8,514
EMT18T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 0.5A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,430
EMT1DXV6T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,694
EMT1DXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,406
EMT1DXV6T5 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,892
EMT1DXV6T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음77,976
EMT1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음156,852
EMT2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,014
EMT3T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,928

DMMT5551-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음8,748

DMMT5551-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음7,128

DMMT5551S-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음25,518

DMMT5551-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음7,218

DN0150ADJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음199,194

DN0150BDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음5,814

DP0150ADJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음8,892

DP0150BDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음5,238

DSS4160DS-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 1A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음4,662

DSS4160FDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPH U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
전력-최대: 405mW
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음27,414

DSS45160FDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 405mW
주파수-전환: 175MHz, 65MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음27,672

DSS5160FDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 405mW
주파수-전환: 65MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음22,218

DST3904DJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음5,346

DST3906DJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음8,532

DST3946DPJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음8,226

DST847BDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음7,650

DST847BPDP6-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 175MHz, 340MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음6,336

DST857BDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 340MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음98,670

ECH8501-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.6W
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음3,132

ECH8502-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V, 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.6W
주파수-전환: 290MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음6,246

ECH8503-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 125mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.6W
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음8,082

E-L6221AD

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC

재고 있음8,514

EMT18T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 0.5A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,430

EMT1DXV6T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,694

EMT1DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,406

EMT1DXV6T5

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,892

EMT1DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음77,976

EMT1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음156,852

EMT2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,014

EMT3T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,928

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