트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
HCT700 TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,160
HCT700TX TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,254
HCT700TXV TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,544
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음3,600
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음60,828
HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음3,490
HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,660
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,120
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음24,414
HN1B01FDW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SC-74	재고 있음5,616
HN1B01FDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SC-74	재고 있음53,316
HN1B01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음5,076
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW, 210mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음2,844
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음4,266
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음71,742
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음4,104
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음7,866
HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,444
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음23,454
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음3,654
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음35,094
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음8,370
HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 800MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음5,310
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,390
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,508
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음3,834
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음24,414
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음3,042
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음2,790
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,984

HCT700

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,160

HCT700TX

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,254

HCT700TXV

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,544

HN1A01FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음3,600

HN1A01FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음60,828

HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음3,490

HN1A01FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,660

HN1A01FU-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,120

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음24,414

HN1B01FDW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SC-74

재고 있음5,616

HN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SC-74

재고 있음53,316

HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음5,076

HN1B01FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW, 210mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음2,844

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음4,266

HN1B04FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음71,742

HN1B04FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음4,104

HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음7,866

HN1B04FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,444

HN1B04FU-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음23,454

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음3,654

HN1C01FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음35,094

HN1C01FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음8,370

HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 800MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음5,310

HN1C01FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,390

HN1C01FU-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,508

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음3,834

HN1C01FYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음24,414

HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음3,042

HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음2,790

HN1C03FU-B,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,984

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