트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANSR2N2920U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 RH SMALL-SIGNAL BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,670
JANSR2N3810U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 RH SMALL-SIGNAL BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,150
JANTX2N2060L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V 전력-최대: 2.12W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,580
JANTX2N2919L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,262
JANTX2N2919U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음4,032
JANTX2N2920 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음2,286
JANTX2N2920L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,838
JANTX2N2920U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,326
JANTX2N3810 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,650
JANTX2N3810L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,824
JANTX2N3810U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,578
JANTX2N3811 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,938
JANTX2N3811L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,398
JANTX2N3811U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,482
JANTX2N4854 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.6A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/421 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음249
JANTX2N4854U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/421 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,580
JANTX2N5794 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/495 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,832
JANTX2N5794U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/495 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,824
JANTX2N5796U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.6A U-PKG 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/496 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,166
JANTX2N6987 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,320
JANTX2N6988 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음2,628
JANTX2N6989 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: TO-116	재고 있음4,968
JANTX2N6989U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-CLCC 공급자 장치 패키지: 20-CLCC	재고 있음183
JANTX2N6990 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음8,568
JANTXV2N2060 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 500MA TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,010
JANTXV2N2060L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V 전력-최대: 2.12W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,208
JANTXV2N2919 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,156
JANTXV2N2919L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,708
JANTXV2N2919U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음7,812
JANTXV2N2920 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,158

JANSR2N2920U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

RH SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,670

JANSR2N3810U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

RH SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,150

JANTX2N2060L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
전력-최대: 2.12W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,580

JANTX2N2919L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,262

JANTX2N2919U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음4,032

JANTX2N2920

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음2,286

JANTX2N2920L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,838

JANTX2N2920U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,326

JANTX2N3810

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,650

JANTX2N3810L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,824

JANTX2N3810U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,578

JANTX2N3811

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,938

JANTX2N3811L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,398

JANTX2N3811U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,482

JANTX2N4854

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/421
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음249

JANTX2N4854U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/421
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,580

JANTX2N5794

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/495
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,832

JANTX2N5794U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/495
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,824

JANTX2N5796U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.6A U-PKG

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/496
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,166

JANTX2N6987

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,320

JANTX2N6988

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음2,628

JANTX2N6989

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: TO-116

재고 있음4,968

JANTX2N6989U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-CLCC
공급자 장치 패키지: 20-CLCC

재고 있음183

JANTX2N6990

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음8,568

JANTXV2N2060

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 500MA TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,010

JANTXV2N2060L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
전력-최대: 2.12W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,208

JANTXV2N2919

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,156

JANTXV2N2919L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,708

JANTXV2N2919U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음7,812

JANTXV2N2920

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,158

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