트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IMX1T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음6,480
IMX1T110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음364,914
IMX25T110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 35MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음7,416
IMX2T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음24,198
IMX3T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음8,856
IMX4T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 0.05A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 1.5GHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음4,428
IMX5T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 3.2GHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음3,240
IMX8-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음8,640
IMX8-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음5,256
IMX8T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.05A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음8,280
IMX9T110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음50,538
IMZ1AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음116,628
IMZ2AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음5,742
IMZ4T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음6,786
JAN2N2060L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V 전력-최대: 2.12W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,048
JAN2N2919L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,866
JAN2N2919U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음7,578
JAN2N2920L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,776
JAN2N2920U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음3,942
JAN2N3810 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,192
JAN2N3810L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,752
JAN2N3810U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,802
JAN2N3811 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음2,592
JAN2N3811L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,822
JAN2N3811U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,384
JAN2N6987 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,812
JAN2N6988 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음5,490
JAN2N6989 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: TO-116	재고 있음8,928
JAN2N6990 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음7,920
JANS2N2920 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음6,444

IMX1T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음6,480

IMX1T110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음364,914

IMX25T110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 35MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음7,416

IMX2T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음24,198

IMX3T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음8,856

IMX4T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.05A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 1.5GHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음4,428

IMX5T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 3.2GHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음3,240

IMX8-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음8,640

IMX8-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음5,256

IMX8T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.05A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음8,280

IMX9T110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음50,538

IMZ1AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음116,628

IMZ2AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음5,742

IMZ4T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음6,786

JAN2N2060L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/270
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
전력-최대: 2.12W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,048

JAN2N2919L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,866

JAN2N2919U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음7,578

JAN2N2920L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,776

JAN2N2920U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음3,942

JAN2N3810

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,192

JAN2N3810L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,752

JAN2N3810U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,802

JAN2N3811

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음2,592

JAN2N3811L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,822

JAN2N3811U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,384

JAN2N6987

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,812

JAN2N6988

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음5,490

JAN2N6989

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: TO-116

재고 있음8,928

JAN2N6990

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음7,920

JANS2N2920

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음6,444

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