트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTS4172NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.38nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 381pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 294mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,534
NTS4173PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음1,306,500
NTS4409NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 280mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음149,646
NTTD4401FR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FETKY™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 780mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro8™ 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	재고 있음4,752
NTTD4401FR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: FETKY™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 780mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro8™ 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	재고 있음2,196
NTTFS002N04CLTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 40V 142A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,452
NTTFS002N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 40V 136A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,182
NTTFS003N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 103A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 103A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,752
NTTFS004N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 77A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 77A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,938
NTTFS005N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 T6 40V SG NCH U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,986
NTTFS008N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 T6 40V SG NCH U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 625pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,622
NTTFS010N10MCLTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PTNG 100V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta),52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,388
NTTFS015N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 27A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,816
NTTFS015P03P8ZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PFET U8FL 30V 15MO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62.3nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2706pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,290
NTTFS015P03P8ZTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PFET U8FL 30V 15MO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62.3nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2706pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,758
NTTFS3A08PZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 14A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음12,642
NTTFS3A08PZTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 14A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음51,936
NTTFS4800NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 964pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 33.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,896
NTTFS4800NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 964pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 33.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,940
NTTFS4821NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1755pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 38.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,768
NTTFS4821NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1755pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 38.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,880
NTTFS4823NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1013pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 32.9W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,976
NTTFS4823NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1013pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 32.9W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,562
NTTFS4824NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2363pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 46.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음16,050
NTTFS4824NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2363pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 46.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,430
NTTFS4840NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,212
NTTFS4840NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,160
NTTFS4928NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 913pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 20.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음21,840
NTTFS4928NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 41A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 913pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 20.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,786
NTTFS4929NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Ta), 34A(Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 22.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,560

NTS4172NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.38nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 381pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 294mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,534

NTS4173PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음1,306,500

NTS4409NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 280mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음149,646

NTTD4401FR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FETKY™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 780mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro8™
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

재고 있음4,752

NTTD4401FR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: FETKY™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 780mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro8™
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

재고 있음2,196

NTTFS002N04CLTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 40V 142A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,452

NTTFS002N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 40V 136A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,182

NTTFS003N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 103A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 103A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,752

NTTFS004N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 77A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 77A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,938

NTTFS005N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

T6 40V SG NCH U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,986

NTTFS008N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

T6 40V SG NCH U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 625pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,622

NTTFS010N10MCLTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PTNG 100V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta),52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,388

NTTFS015N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 27A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,816

NTTFS015P03P8ZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PFET U8FL 30V 15MO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2706pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,290

NTTFS015P03P8ZTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PFET U8FL 30V 15MO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2706pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,758

NTTFS3A08PZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 14A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음12,642

NTTFS3A08PZTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 14A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음51,936

NTTFS4800NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 964pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,896

NTTFS4800NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 964pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,940

NTTFS4821NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1755pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,768

NTTFS4821NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1755pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,880

NTTFS4823NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1013pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,976

NTTFS4823NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1013pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,562

NTTFS4824NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2363pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음16,050

NTTFS4824NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2363pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,430

NTTFS4840NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,212

NTTFS4840NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,160

NTTFS4928NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 913pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음21,840

NTTFS4928NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 41A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 913pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,786

NTTFS4929NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Ta), 34A(Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 22.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,560

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