트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTTFS4929NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Ta), 34A(Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 22.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,084
NTTFS4930NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 20.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,156
NTTFS4930NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 20.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,244
NTTFS4932NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 79A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3111pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 43W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음33,336
NTTFS4932NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 79A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3111pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 43W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,190
NTTFS4937NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 43.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,298
NTTFS4937NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 43.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,768
NTTFS4939NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1979pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 29.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,050
NTTFS4939NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1979pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 29.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,768
NTTFS4941NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1619pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,678
NTTFS4941NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1619pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,930
NTTFS4943NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1386pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 22.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,454
NTTFS4943NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1386pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 22.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,186
NTTFS4945NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1194pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,318
NTTFS4945NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1194pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,632
NTTFS4965NFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,022
NTTFS4965NFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,100
NTTFS4985NFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음13,218
NTTFS4985NFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,736
NTTFS4C02NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2980pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 91W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음13,128
NTTFS4C05NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음31,590
NTTFS4C05NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,518
NTTFS4C06NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 67A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3366pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음29,370
NTTFS4C06NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 67A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3366pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음139,152
NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 52A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음32,106
NTTFS4C08NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 52A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,488
NTTFS4C10NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 44A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음23,622
NTTFS4C10NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 44A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음89,748
NTTFS4C13NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 21.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음128,052
NTTFS4C13NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 21.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음140,214

NTTFS4929NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Ta), 34A(Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 22.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,084

NTTFS4930NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,156

NTTFS4930NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,244

NTTFS4932NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 79A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3111pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 43W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음33,336

NTTFS4932NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 79A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3111pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 43W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,190

NTTFS4937NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 43.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,298

NTTFS4937NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 860mW (Ta), 43.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,768

NTTFS4939NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1979pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,050

NTTFS4939NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1979pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,768

NTTFS4941NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1619pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,678

NTTFS4941NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1619pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,930

NTTFS4943NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1386pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,454

NTTFS4943NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1386pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,186

NTTFS4945NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1194pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,318

NTTFS4945NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1194pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,632

NTTFS4965NFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,022

NTTFS4965NFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,100

NTTFS4985NFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음13,218

NTTFS4985NFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.3A (Ta), 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,736

NTTFS4C02NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2980pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 91W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음13,128

NTTFS4C05NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음31,590

NTTFS4C05NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,518

NTTFS4C06NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 67A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3366pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음29,370

NTTFS4C06NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 67A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3366pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 810mW (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음139,152

NTTFS4C08NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 52A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음32,106

NTTFS4C08NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 52A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,488

NTTFS4C10NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 44A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음23,622

NTTFS4C10NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 44A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음89,748

NTTFS4C13NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음128,052

NTTFS4C13NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음140,214

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