트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTR4101PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음711,198
NTR4101PT1H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음25,410
NTR4170NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.76nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 432pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음272,634
NTR4170NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.76nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 432pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,430
NTR4171PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음600,276
NTR4171PT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,042
NTR4501NST1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음27,768
NTR4501NT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,838
NTR4501NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음947,700
NTR4501NT3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,248
NTR4501NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,964
NTR4502PT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,460
NTR4502PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음274,320
NTR4502PT3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,294
NTR4502PT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,608
NTR4503NST1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,848
NTR4503NT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,816
NTR4503NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음87,846
NTR4503NT3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,442
NTR4503NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,048
NTR5103NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.81nC @ 5V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음877,854
NTR5105PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 196mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 347mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음156,366
NTR5198NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,017,216
NTRV4101PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,182
NTS2101PT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 8V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,706
NTS2101PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 8V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음2,010,822
NTS4001NT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,950
NTS4001NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음1,842,222
NTS4101PT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.37A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 329mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음8,010
NTS4101PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.37A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 329mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음869,634

NTR4101PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음711,198

NTR4101PT1H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음25,410

NTR4170NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.76nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 432pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음272,634

NTR4170NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.76nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 432pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,430

NTR4171PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음600,276

NTR4171PT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,042

NTR4501NST1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음27,768

NTR4501NT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,838

NTR4501NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음947,700

NTR4501NT3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,248

NTR4501NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,964

NTR4502PT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,460

NTR4502PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음274,320

NTR4502PT3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,294

NTR4502PT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,608

NTR4503NST1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,848

NTR4503NT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,816

NTR4503NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음87,846

NTR4503NT3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,442

NTR4503NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,048

NTR5103NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.81nC @ 5V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음877,854

NTR5105PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 196mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 347mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음156,366

NTR5198NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,017,216

NTRV4101PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,182

NTS2101PT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 8V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,706

NTS2101PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 8V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음2,010,822

NTS4001NT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,950

NTS4001NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음1,842,222

NTS4101PT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.37A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 329mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음8,010

NTS4101PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.37A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 329mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음869,634

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message