트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RP1L080SNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MPT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음4,680
RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음336,810
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 4.5V Vgs (최대): -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 550mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음3,762
RQ1A070ZPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7400pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음28,278
RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음2,286
RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음5,796
RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음4,968
RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 550mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음6,840
RQ1E075XNTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음5,940
RQ1E100XNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 550mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT8 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음8,514
RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음53,622
RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,708
RQ3E075ATTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 15W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,400
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음23,670
RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 15W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,718
RQ3E100ATTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ3E100AT IS THE HIGH RELIABILIT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,758
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,904
RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 15W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,264
RQ3E100MNTB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음21,606
RQ3E110AJTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,448
RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음59,790
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,076
RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 16W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음21,960
RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,040
RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음22,614
RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,334
RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 17.2W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음28,836
RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,806
RQ3E160ADTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,312
RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 11mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,246

RP1L080SNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 8A MPT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MPT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음4,680

RQ1A060ZPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음336,810

RQ1A070APTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
Vgs (최대): -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음3,762

RQ1A070ZPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7400pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음28,278

RQ1C065UNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음2,286

RQ1C075UNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음5,796

RQ1E050RPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음4,968

RQ1E070RPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음6,840

RQ1E075XNTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음5,940

RQ1E100XNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT8
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음8,514

RQ3C150BCTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음53,622

RQ3E070BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,708

RQ3E075ATTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 15W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,400

RQ3E080BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음23,670

RQ3E080GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 15W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,718

RQ3E100ATTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ3E100AT IS THE HIGH RELIABILIT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,758

RQ3E100BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,904

RQ3E100GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 15W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,264

RQ3E100MNTB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음21,606

RQ3E110AJTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,448

RQ3E120ATTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음59,790

RQ3E120BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,076

RQ3E120GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 16W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음21,960

RQ3E130BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,040

RQ3E130MNTB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음22,614

RQ3E150BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,334

RQ3E150GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 17.2W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음28,836

RQ3E150MNTB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,806

RQ3E160ADTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,312

RQ3E180AJTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 11mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,246

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message