트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RQ5E050ATTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음7,434
RQ5E065AJTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5E065AJ IS A SMALL SIGNAL MOSF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음3,474
RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음2,718
RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 45V 2A TSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음25,242
RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5H020TN IS A SMALL SIGNAL MOSF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음7,434
RQ5H025TNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5H025TN IS A SMALL SIGNAL MOSF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음25,350
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5H030TN IS A MOSFET WITH G-S P 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음4,338
RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음80,838
RQ5L020SNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5L020SN IS A MOSFET WITH G-S P 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음25,434
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5L030SN IS A SMALL SIGNAL MOSF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음7,434
RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5L035GN IS THE HIGH RELIABILIT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음6,192
RQ5P010SNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ5P010SN IS A MOSFET WITH G-S P 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음22,098
RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6A045AP IS THE LOW ON-RESISTAN 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,904
RQ6A045ZPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6A045ZP IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음8,208
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6A050ZP IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,338
RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SC-95-6	재고 있음3,024
RQ6C050UNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 5A TSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음96,942
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SC-95-6	재고 있음3,726
RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A TSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음7,560
RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음25,602
RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음2,556
RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E035SP IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음27,546
RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음28,338
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,158
RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,002
RQ6E045RPTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E045RP IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,186
RQ6E045SNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E045SN IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,600
RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E045TN IS THE LOW ON - RESIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음25,554
RQ6E050AJTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RQ6E050AJ IS SMALL SURFACE MOUNT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음25,074
RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A TSMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음8,280

RQ5E050ATTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음7,434

RQ5E065AJTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5E065AJ IS A SMALL SIGNAL MOSF

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음3,474

RQ5E070BNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음2,718

RQ5H020SPTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음25,242

RQ5H020TNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5H020TN IS A SMALL SIGNAL MOSF

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음7,434

RQ5H025TNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5H025TN IS A SMALL SIGNAL MOSF

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음25,350

RQ5H030TNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5H030TN IS A MOSFET WITH G-S P

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음4,338

RQ5L015SPTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음80,838

RQ5L020SNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5L020SN IS A MOSFET WITH G-S P

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음25,434

RQ5L030SNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5L030SN IS A SMALL SIGNAL MOSF

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음7,434

RQ5L035GNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5L035GN IS THE HIGH RELIABILIT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음6,192

RQ5P010SNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ5P010SN IS A MOSFET WITH G-S P

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음22,098

RQ6A045APTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6A045AP IS THE LOW ON-RESISTAN

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,904

RQ6A045ZPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6A045ZP IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음8,208

RQ6A050ZPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6A050ZP IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,338

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SC-95-6

재고 있음3,024

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음96,942

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SC-95-6

재고 있음3,726

RQ6E030ATTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음7,560

RQ6E030SPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음25,602

RQ6E035ATTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음2,556

RQ6E035SPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E035SP IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음27,546

RQ6E035TNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음28,338

RQ6E040XNTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,158

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,002

RQ6E045RPTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E045RP IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,186

RQ6E045SNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E045SN IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,600

RQ6E045TNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E045TN IS THE LOW ON - RESIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음25,554

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RQ6E050AJ IS SMALL SURFACE MOUNT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음25,074

RQ6E050ATTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음8,280

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