트랜지스터

SPW21N50C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 21A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 208W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW24N60C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 240W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW24N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 143nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3160pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 240W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW32N50C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 32A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.8mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 284W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW35N60C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1.9mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 313W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW35N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 21.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.9mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 212nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5060pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 313W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW47N60C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 320nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 415W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW47N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 46A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 29A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.9mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 322nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 417W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW47N65C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 415W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW52N50C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 52A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 417W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SPW55N80C3FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C3
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3.3mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 288nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7520pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ1420EEH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 355pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ1431EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A SC70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 205pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ1440EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 344pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70-6
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ1464EEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 60V SC-70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 440mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 430mW (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70-6
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-363, SC70
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ1470EH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2301ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 425pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236 (SOT-23)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2303ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 30V SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.9W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236 (SOT-23)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2308CES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.3A

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 205pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2309ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 60V SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236 (SOT-23)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2310ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2315ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 12V SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 4V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2318AES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 40V SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2319ES-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2325ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 840mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236 (SOT-23)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2337ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 80V SOT23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SQ2348ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트