트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHAN 20V SOT23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음156,732
SQ2360EES-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,334
SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,804
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,652
SQ2361ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음204,954
SQ2362ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음276,804
SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 60V SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,966
SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHAN 40V SO23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음154,500
SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,068
SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1005pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음8,046
SQ3418AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,038
SQ3418EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,698
SQ3418EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 678pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,654
SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 975pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,284
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1065pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,022
SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음2,376
SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음28,842
SQ3426AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,616
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,200
SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음174,072
SQ3427AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음233,058
SQ3427EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1125pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,312
SQ3427EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음6,894
SQ3442EV-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,418
SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,276
SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 705pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음838,794
SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,814
SQ3461EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,670
SQ3469EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,824
SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음27,012

SQ2351ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 20V SOT23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음156,732

SQ2360EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,334

SQ2361AEES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,804

SQ2361EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,652

SQ2361ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음204,954

SQ2362ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음276,804

SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 60V SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,966

SQ2389ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 40V SO23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음154,500

SQ2398ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 152pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,068

SQ3410EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1005pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음8,046

SQ3418AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,038

SQ3418EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,698

SQ3418EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 678pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,654

SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 975pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,284

SQ3419EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1065pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,022

SQ3419EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음2,376

SQ3425EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음28,842

SQ3426AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,616

SQ3426EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,200

SQ3426EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음174,072

SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음233,058

SQ3427EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1125pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,312

SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음6,894

SQ3442EV-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,418

SQ3456BEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,276

SQ3457EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 705pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음838,794

SQ3460EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,814

SQ3461EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,670

SQ3469EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,824

SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음27,012

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