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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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수량
SQ4005EY-T1_GE3
SQ4005EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 6V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,250
SQ4050EY-T1_GE3
SQ4050EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2406pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,502
SQ4064EY-T1_GE3
SQ4064EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2096pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,770
SQ4080EY-T1_GE3
SQ4080EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1590pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음6,912
SQ4153EY-T1_GE3
SQ4153EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 6V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음5,886
SQ4182EY-T1_GE3
SQ4182EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음3,204
SQ4184EY-T1_GE3
SQ4184EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 29A SO8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음7,182
SQ4401EY-T1_GE3
SQ4401EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 17.3A

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.3A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4250pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.14W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음23,994
SQ4410EY-T1_GE3
SQ4410EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2385pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음7,542
SQ4425EY-T1_GE3
SQ4425EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3630pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음19,806
SQ4431EY-T1_GE3
SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1265pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음6,120
SQ4435EY-T1_GE3
SQ4435EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2170pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음19,656
SQ4470EY-T1_GE3
SQ4470EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3165pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음23,700
SQ4483BEEY-T1_GE3
SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음3,562
SQ4483EY-T1_GE3
SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,322
SQ4840EY-T1_GE3
SQ4840EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 20.7A

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2440pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 7.1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음7,308
SQ4850EY-T1_GE3
SQ4850EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 6.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,232
SQ7002K-T1-GE3
SQ7002K-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 500mW (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음7,326
SQ7414AEN-T1_GE3
SQ7414AEN-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 62W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8
재고 있음2,844
SQ7414AENW-T1_GE3
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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A POWERPAK1212

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1590pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 62W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8
재고 있음3,492
SQ7414CENW-T1_GE3
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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1590pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 62W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8W
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8W
재고 있음25,320
SQ7415AEN-T1_GE3
SQ7415AEN-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 53W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8
재고 있음3,060
SQ7415AENW-T1_GE3
SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 53W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8
재고 있음43,584
SQ9407EY-T1_GE3
SQ9407EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1140pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.75W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,356
SQA401EEJ-T1_GE3
SQA401EEJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.68A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 13.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6
재고 있음8,136
SQA401EJ-T1_GE3
SQA401EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.75A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 13.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6
재고 있음6,048
SQA403EJ-T1_GE3
SQA403EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 30V

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 13.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6
재고 있음7,074
SQA405EJ-T1_GE3
SQA405EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 40V

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1815pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 13.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6
재고 있음8,262
SQA410EJ-T1_GE3
SQA410EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 13.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6
재고 있음4,410
SQA442EJ-T1_GE3
SQA442EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 636pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 13.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6
재고 있음3,330