트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STU2N95K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 950V 2A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,950
STU2NK100Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 499pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,772
STU3LN62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 386pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음18,672
STU3LN80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ K5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.63nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 102pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음27,192
STU3N45K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음20,172
STU3N62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음26,682
STU3N65M6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.75V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,978
STU3N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (최대): 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,740
STU40N2LH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 40A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Vgs (최대): ±22V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,222
STU4N52K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음20,628
STU4N62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,130
STU4N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음49,698
STU5N52K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음57,858
STU5N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음19,116
STU5N62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음26,736
STU5N65M6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.75V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,436
STU5N95K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 950V 4A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,048
STU5N95K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 950V 3.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ K5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,740
STU60N3LH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 48A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,442
STU60N55F3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,436
STU65N3LLH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 30V 65A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±22V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음13,350
STU6N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 232pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음33,198
STU6N62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음117,036
STU6N65K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음24,390
STU6N65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 4A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 226pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음17,388
STU6N90K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ K5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	재고 있음8,208
STU6N95K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 950V 9A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,394
STU6NF10 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 6A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음15,900
STU70N2LH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 48A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (최대): ±22V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,618
STU75N3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,706

STU2N95K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 2A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,950

STU2NK100Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 499pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,772

STU3LN62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 386pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음18,672

STU3LN80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ K5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.63nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 102pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음27,192

STU3N45K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음20,172

STU3N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음26,682

STU3N65M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.75V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,978

STU3N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs (최대): 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,740

STU40N2LH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 40A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,222

STU4N52K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음20,628

STU4N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,130

STU4N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음49,698

STU5N52K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음57,858

STU5N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음19,116

STU5N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음26,736

STU5N65M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.75V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,436

STU5N95K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 4A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,048

STU5N95K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 950V 3.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ K5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,740

STU60N3LH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 48A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,442

STU60N55F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,436

STU65N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 65A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음13,350

STU6N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 232pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음33,198

STU6N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음117,036

STU6N65K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음24,390

STU6N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 226pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음17,388

STU6N90K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ K5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

재고 있음8,208

STU6N95K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 950V 9A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,394

STU6NF10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 6A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음15,900

STU70N2LH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 48A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs (최대): ±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,618

STU75N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,706

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