트랜지스터

STV240N75F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 120A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
• 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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STV250N55F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
• 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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STV270N4F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
• 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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STV300NH02L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 109nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7055pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
• 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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STW10N105K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1050V 6A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1050V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
• Vgs (최대): 30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 130W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW10N95K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 8A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 130W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW10NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 156W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW10NK80Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2180pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 160W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW11NB80

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW11NK100Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 162nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW11NK90Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW11NM80

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43.6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW120NF10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 110A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 233nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 312W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12N120K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12N150K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12N170K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 1700 V, 2.3 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12NK80Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2620pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12NK90Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 11A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 152nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12NK95Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 10A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW12NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13N95K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 10A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH3™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13NB60

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13NK100Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 266nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13NK50Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 11A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 140W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13NK80Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3480pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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STW13NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 12A TO-247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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