트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STU75N3LLH6-S STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,146
STU7LN80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,966
STU7N105K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1050V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음21,972
STU7N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 271pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,866
STU7N65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음21,096
STU7N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 800V 6A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음20,094
STU7NF25 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 72W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음29,184
STU7NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음45,918
STU80N4F6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 40V 80A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음18,336
STU85N3LH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±22V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,894
STU8N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,808
STU8N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 800V 6A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,516
STU8NM50N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음23,826
STU8NM60ND STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 7A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: FDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,402
STU90N4F3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,282
STU95N2LH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 5V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1817pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,994
STU95N3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,554
STU95N4F3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,626
STU9HN65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음20,802
STU9N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음25,206
STU9N65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음17,028
STULED524 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 525V 4A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,176
STULED623 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 3A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,436
STULED625 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 5A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,598
STULED656 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 895pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,464
STV160NF02LAT4 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	재고 있음4,914
STV160NF02LT4 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	재고 있음2,106
STV160NF03LAT4 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	재고 있음6,300
STV160NF03LT4 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	재고 있음6,570
STV200N55F3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 10-PowerSO 패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	재고 있음22,860

STU75N3LLH6-S

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,146

STU7LN80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,966

STU7N105K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1050V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음21,972

STU7N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 271pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,866

STU7N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음21,096

STU7N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 800V 6A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음20,094

STU7NF25

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 72W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음29,184

STU7NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음45,918

STU80N4F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 40V 80A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음18,336

STU85N3LH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,894

STU8N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,808

STU8N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 800V 6A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,516

STU8NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음23,826

STU8NM60ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: FDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,402

STU90N4F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,282

STU95N2LH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1817pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,994

STU95N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,554

STU95N4F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,626

STU9HN65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음20,802

STU9N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음25,206

STU9N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: IPAK (TO-251)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음17,028

STULED524

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 4A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,176

STULED623

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 3A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,436

STULED625

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,598

STULED656

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 895pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,464

STV160NF02LAT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

재고 있음4,914

STV160NF02LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

재고 있음2,106

STV160NF03LAT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

재고 있음6,300

STV160NF03LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

재고 있음6,570

STV200N55F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 10-PowerSO
패키지 / 케이스: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

재고 있음22,860

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