트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZDT6705TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP Darlington (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음3,456
ZDT6718TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: 140MHz, 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음3,978
ZDT6718TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: 140MHz, 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음5,526
ZDT6753TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 175MHz, 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음3,852
ZDT6753TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 175MHz, 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음6,138
ZDT6757TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음3,726
ZDT6757TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음3,384
ZDT6758TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 400V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음8,802
ZDT6758TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 400V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음2,808
ZDT6790TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V, 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 150MHz, 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음28,644
ZDT6790TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V, 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 150MHz, 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음6,444
ZDT690TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음2,088
ZDT690TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음6,120
ZDT694TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음8,730
ZDT694TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음7,110
ZDT705TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP Darlington (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음6,462
ZDT705TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP Darlington (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음7,092
ZDT717TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음2,106
ZDT717TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음2,034
ZDT749TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 25V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음2,538
ZDT749TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 25V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음4,140
ZDT751TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음14,760
ZDT751TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 2A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음2,268
ZDT758TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 400V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음4,338
ZDT758TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 400V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음7,254
ZDT795ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 140V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음20,076
ZDT795ATC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 140V 0.5A SM8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 2.75W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SM8	재고 있음2,700
ZHB6718TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음20,820
ZHB6718TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음2,100
ZHB6790TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음8,478

ZDT6705TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP Darlington (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음3,456

ZDT6718TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: 140MHz, 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음3,978

ZDT6718TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: 140MHz, 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음5,526

ZDT6753TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 175MHz, 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음3,852

ZDT6753TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 175MHz, 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음6,138

ZDT6757TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음3,726

ZDT6757TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음3,384

ZDT6758TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 400V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음8,802

ZDT6758TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 400V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음2,808

ZDT6790TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V, 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 150MHz, 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음28,644

ZDT6790TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V, 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 150MHz, 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음6,444

ZDT690TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음2,088

ZDT690TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음6,120

ZDT694TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음8,730

ZDT694TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음7,110

ZDT705TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP Darlington (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음6,462

ZDT705TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP Darlington (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음7,092

ZDT717TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음2,106

ZDT717TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음2,034

ZDT749TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 25V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음2,538

ZDT749TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 25V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음4,140

ZDT751TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음14,760

ZDT751TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 2A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음2,268

ZDT758TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 400V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음4,338

ZDT758TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 400V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음7,254

ZDT795ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 140V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음20,076

ZDT795ATC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 140V 0.5A SM8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 2.75W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SM8

재고 있음2,700

ZHB6718TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음20,820

ZHB6718TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음2,100

ZHB6790TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음8,478

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