트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZXTD3M832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음8,802
ZXTD4591AM832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음4,878
ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음230,016
ZXTD4591E6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음7,920
ZXTD617MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음2,574
ZXTD618MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음3,420
ZXTD619MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음4,842
ZXTD6717E6QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,388
ZXTD6717E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A, 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 180MHz, 220MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음85,200
ZXTD6717E6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A, 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 180MHz, 220MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음6,192
ZXTD717MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)	재고 있음2,232
ZXTD718MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음7,542
ZXTD720MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)	재고 있음261,816
ZXTDA1M832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz, 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음4,212
ZXTDAM832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음3,600
ZXTDB2M832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 140MHz, 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음2,124
ZXTDBM832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음3,510
ZXTDC3M832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A, 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 165MHz, 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음3,204
ZXTDCM832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 165MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음8,118
ZXTDE4M832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A, 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V, 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 160MHz, 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음3,024
ZXTP56020FDBQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V 전력-최대: 405mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6	재고 있음8,280
ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V 전력-최대: 510mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6	재고 있음5,220
ACX114EUQ-13R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,500
ACX114EUQ-7R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음5,562
ACX114YUQ-13R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음6,102
ACX114YUQ-7R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음6,948
ACX115EUQ-13R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN, PNP Complementary 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,772
ACX115EUQ-7R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN, PNP Complementary 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,322
ACX124EUQ-13R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms, 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms, 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,212
ACX124EUQ-7R Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms, 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms, 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 270mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음5,310

ZXTD3M832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음8,802

ZXTD4591AM832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음4,878

ZXTD4591E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음230,016

ZXTD4591E6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음7,920

ZXTD617MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음2,574

ZXTD618MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음3,420

ZXTD619MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음4,842

ZXTD6717E6QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,388

ZXTD6717E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A, 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 180MHz, 220MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음85,200

ZXTD6717E6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A, 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 180MHz, 220MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음6,192

ZXTD717MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)

재고 있음2,232

ZXTD718MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음7,542

ZXTD720MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)

재고 있음261,816

ZXTDA1M832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz, 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음4,212

ZXTDAM832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음3,600

ZXTDB2M832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 140MHz, 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음2,124

ZXTDBM832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음3,510

ZXTDC3M832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A, 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 165MHz, 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음3,204

ZXTDCM832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 165MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음8,118

ZXTDE4M832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A, 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V, 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 160MHz, 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음3,024

ZXTP56020FDBQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
전력-최대: 405mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6

재고 있음8,280

ZXTP56060FDBQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V
전력-최대: 510mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6

재고 있음5,220

ACX114EUQ-13R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,500

ACX114EUQ-7R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음5,562

ACX114YUQ-13R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음6,102

ACX114YUQ-7R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음6,948

ACX115EUQ-13R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN, PNP Complementary
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,772

ACX115EUQ-7R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN, PNP Complementary
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,322

ACX124EUQ-13R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms, 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms, 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,212

ACX124EUQ-7R

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms, 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms, 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 270mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음5,310

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