트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZHB6790TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,148
ZHB6792TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음6,786
ZHB6792TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-223-8 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음2,700
ZTD09N50DE6QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 1A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 215MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음4,734
ZXT12N20DXTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 112MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음8,172
ZXT12N20DXTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 112MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음4,464
ZXT12N50DXTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 132MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음5,598
ZXT12N50DXTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 132MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음2,502
ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음12,780
ZXT12P12DXTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음7,668
ZXT12P20DXTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음5,796
ZXT12P20DXTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음7,938
ZXT12P40DXTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음103,356
ZXT12P40DXTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.04W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음7,146
ZXTC2045E6QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 265MHz, 195MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음5,814
ZXTC2045E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음54,396
ZXTC2061E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A, 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음21,852
ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A, 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 215MHz, 290MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음66,042
ZXTC2063E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A, 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 190MHz, 270MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음7,290
ZXTC4591AMCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)	재고 있음2,592
ZXTC6717MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V, 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 120MHz, 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음6,336
ZXTC6718MCQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음3,528
ZXTC6718MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 140MHz, 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)	재고 있음27,114
ZXTC6719MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A, 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 165MHz, 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)	재고 있음8,874
ZXTC6720MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A, 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V, 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 160MHz, 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)	재고 있음5,634
ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 215MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음45,882
ZXTD09N50DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 215MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음4,932
ZXTD1M832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음6,120
ZXTD2090E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 215MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음8,784
ZXTD2M832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.7W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음8,370

ZHB6790TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,148

ZHB6792TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음6,786

ZHB6792TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-223-8
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음2,700

ZTD09N50DE6QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 1A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 215MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음4,734

ZXT12N20DXTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 112MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음8,172

ZXT12N20DXTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 112MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음4,464

ZXT12N50DXTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 132MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음5,598

ZXT12N50DXTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 132MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음2,502

ZXT12P12DXTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음12,780

ZXT12P12DXTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음7,668

ZXT12P20DXTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음5,796

ZXT12P20DXTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음7,938

ZXT12P40DXTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음103,356

ZXT12P40DXTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.04W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음7,146

ZXTC2045E6QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 1.5A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 265MHz, 195MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음5,814

ZXTC2045E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음54,396

ZXTC2061E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A, 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음21,852

ZXTC2062E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A, 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 215MHz, 290MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음66,042

ZXTC2063E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A, 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 190MHz, 270MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음7,290

ZXTC4591AMCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)

재고 있음2,592

ZXTC6717MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V, 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V, 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 120MHz, 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음6,336

ZXTC6718MCQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음3,528

ZXTC6718MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A, 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 140MHz, 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)

재고 있음27,114

ZXTC6719MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A, 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 165MHz, 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)

재고 있음8,874

ZXTC6720MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A, 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V, 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 160MHz, 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)

재고 있음5,634

ZXTD09N50DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 215MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음45,882

ZXTD09N50DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 215MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음4,932

ZXTD1M832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음6,120

ZXTD2090E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 215MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음8,784

ZXTD2M832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.7W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음8,370

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