트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MJE5731AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 375V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음22,068
MJE5731G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 350V 1A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음19,668
MJE5742 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,752
MJE5742G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음36,786
MJE5850 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,544
MJE5850G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,620
MJE5851 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 350V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,816
MJE5851G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 350V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,932
MJE5852 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 8A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,374
MJE5852 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,938
MJE5852G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음10,224
MJE700G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음19,680
MJE700STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음8,856
MJE701STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음6,678
MJE702G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음18,516
MJE702STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음4,896
MJE703 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음3,490
MJE703G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음15,696
MJE703STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음3,510
MJE800G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음18,360
MJE800STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음18,948
MJE801STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음5,130
MJE802 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32	재고 있음6,588
MJE802G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음14,904
MJE802STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음4,536
MJE803 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음2,394
MJE803G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음12,930
MJE803STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A TO126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음6,660
MJF122 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음4,590
MJF122G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음39,948

MJE5731AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 375V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음22,068

MJE5731G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 350V 1A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음19,668

MJE5742

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,752

MJE5742G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음36,786

MJE5850

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,544

MJE5850G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,620

MJE5851

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 350V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,816

MJE5851G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 350V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,932

MJE5852

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 8A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,374

MJE5852

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,938

MJE5852G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음10,224

MJE700G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음19,680

MJE700STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음8,856

MJE701STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음6,678

MJE702G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음18,516

MJE702STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음4,896

MJE703

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음3,490

MJE703G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음15,696

MJE703STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음3,510

MJE800G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음18,360

MJE800STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음18,948

MJE801STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음5,130

MJE802

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32

재고 있음6,588

MJE802G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음14,904

MJE802STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음4,536

MJE803

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음2,394

MJE803G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음12,930

MJE803STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음6,660

MJF122

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음4,590

MJF122G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음39,948

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